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제1 전극; 제1 전하수송층; 광활성층; 제2 전하수송층; 및 제2 전극을 포함하고, 제2 전극, 제2 전하수송층 및 광활성층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상이 다층 형태의 복합 투명전극을 포함하며,상기 복합 투명전극은 유기 반도체 화합물, 무기 반도체 화합물 및 전도성 금속으로 이루어진 군으로부터 1 이상을 포함하는 유기 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 광활성층 및 제2 전하수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 상단이 상기 복합 투명전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체 화합물이 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate), PFN (Poly [(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)]), PFN-Br (Poly [(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)] dibromide), PDINN (2,9-Bis(3-((3-(dimethylamino)propyl)amino)propyl)anthra[2,1,9-def:6,5,10-d'e'f']diisoquinoline-1,3,8,10(2H,9H)-tetraone), PDINO (2,9-Bis[3-(dimethyloxidoamino)propyl]anthra[2,1,9-def:6,5,10-d'e'f']diisoquinoline-1,3,8,10(2H,9H)-tetrone)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 무기 반도체 화합물이 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물, 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물, 니켈 산화물, 구리 산화물, 아연 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 안티모니 산화물 및 텔루륨 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 전도성 금속이 구리, 은, 금, 텅스텐, 니켈, 알루미늄 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 복합 투명전극은, 380 nm 이상 780 nm 이하의 영역에서 피크를 가지는 제1 파장의 광에 대해 20%이상의 투과도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제1항에 있어서,광활성층은 전자주개로 폴리[[4,8-비스[5-(2-에틸헥실)-4-플루오로-2-티에티닐]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6-디닐]-2,5-티오펜디닐[5,7-비스(2-에틸헥실)-4,8-디옥소-4H,8H-벤조[1,2-c:4,5-c']디티오펜-1,3-디닐]-2,5-티오펜디닐](PM6 또는 PBDB-T-2F), 폴리[[4,8-비스[(2-에틸헥실)옥시]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6-디일][3-플루오로-2-[(2-에틸헥실)카보닐]티에노[3,4-b]티오펜디일]](PTB7), 폴리([2,6′-4,8-디(5-에틸헥실티에닐)벤조[1,2-b;3,3-b]디티오펜]{3-플루오로-2[(2-에틸헥실)카보닐]티에노[3,4-b]티오펜디일})](PTB7-Th) 및 폴리[(2,6-(4,8-비스(5-(2-에틸헥실)티오펜-2-일)-벤조[1,2-b:4,5-b’]디티오펜))-알트-(5,5-(1’,3’-디-2-티에닐-5’,7’-비스(2-에틸헥실)벤조[1’,2’-c:4’,5’-c’]디티오펜-4,8-디오네)](PBDB-T)로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상; 및 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 삼성분 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상;으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5]상기 화학식 1 내지 화학식 5에서, n은 1 내지 10,000 사이의 정수이고, 상기 화학식 5에서, l은 몰분율로서 0 ≤ l ≤ 1인 실수이고, m은 몰분율로서, 0 ≤ m ≤ 1인 실수이며, l + m = 1이다
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제1항에 있어서,광활성층이 전자받개로 2,2'-((2Z,2'Z)-((12,13-bis(2-ethylhexyl)-3,9-diundecyl-12,13-dihydro-[1,2,5]thiadiazolo[3,4-e]thieno[2",3’:4’,5']thieno[2',3':4,5]pyrrolo[3,2-g]thieno[2',3':4,5]thieno[3,2-b]indole-2,10-diyl)bis(methanylylidene))bis(5,6-difluoro-3-oxo-2,3-dihydro-1H-indene-2,1-diylidene))dimalononitrile (Y6), 2,2'-((2Z,2'Z)-((12,13-bis(2-butyloctyl)-3,9-diundecyl-12,13-dihydro-[1,2,5]thiadiazolo[3,4-e]thieno[2",3’:4’,5']thieno[2',3':4,5]pyrrolo[3,2-g]thieno[2',3':4,5]thieno[3,2-b]indole-2,10-diyl)bis(methanylylidene))bis(5,6-dichloro-3-oxo-2,3-dihydro-1H-indene-2,1-diylidene))dimalononitrile (Y6-BO-4Cl 또는 BTP-4Cl-12), 2,2'- [[12,13-Bis(2-butyloctyl)-12,13-dihydro-3,9-dinonylbisthieno[2'',3'':4',5']thieno[2',3':4,5]pyrrolo[3,2-e:2',3'-g][2,1,3]benzothiadiazole-2,10-diyl]bis[methylidyne(5,6-chloro-3-oxo-1H-indene-2,1(3H)-diylidene)]]bis[propanedinitrile](BTP-eC9), 페닐-C61-부틸산메틸에스터(PC61BM), 페닐-C71-부틸산메틸에스터(PC71BM), 3,9-비스(2-메틸렌-(3-(1,1-디시아노메틸렌)-인다논))-5,5,11,11-테트라키스(4-헥실페닐)-디티에노[2,3-d:2’,3’-d’]-s-인다세노[1,2-b:5,6-b’]디티오펜(ITIC), 3,9-비스(2-메틸렌-(3-(1,1-디시아노메틸렌)-인다논))-5,5,11,11-테트라키스(5-헥실티에닐)-디티에노[2,3-d:2’,3’-d’]-s-인다세노[1,2-b:5,6-b’]디티오펜(ITIC-Th), 2,7-비스(3-디시아노메틸렌-2Z-메틸렌-인단-1-온)-4,4,9,9-테트라헥실-4,9-디히으로-s-인다세노[1,2-b:5,6-b′]디티오펜(IDIC) 및 3,9-비스(2-메틸렌-((3-(1,1-디시아노메틸렌)-6,7-디플루오로)-인다논))-5,5,11,11-테트라키스(4-헥실페닐)-디티에노[2,3-d:2’,3’-d’]-s-인다세노[1,2-b:5,6-b’]디티오펜(ITIC-4F)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 유기 전자 소자를 제조하는 제조방법으로서,유기 반도체 화합물, 무기 반도체 화합물 및 전도성 금속으로 이루어진 군으로부터 1 이상을 포함하는 복합 투명전극 용액을 제조하는 제1단계; 및복합 투명전극 용액을 광활성층 및 제2 전하수송층으로 이루어진 군으로부터 1 이상의 상단에 도포하여 복합 투명전극을 형성하는 제2단계; 및무기반도체, 전도성 금속을 광활성층 및 제2 전하수송층으로 이루어진 군으로부터 1 이상의 상단에 진공 증착하여 복합 투명전극을 형성하는 제3단계를 포함하는, 유기 전자 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2단계 및 제3단계가 상기 복합 투명전극의 조성 변화를 통해 상기 복합 투명 전극의 전도도와 투과도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2단계가 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅, 진공 증착, 열 증착 및 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상으로, 상기 광활성층 및 제2 전하수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 상단에 복합 투명전극을 다층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복합 투명전극의 전도도와 투과도를 향상시키는 단계가 복합 투명전극의 두께 변화를 포함하는 유기 전자 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 유기 반도체 화합물, 무기 반도체 화합물 및 전도성 금속으로 이루어진 군으로부터 1 이상을 포함하는 복합 투명전극 용액의 농도가 1 내지 104 g/cm3인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복합 투명전극의 두께가 1 nm 내지 1 μm인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제2단계 및 제3단계가, 상기 복합 투명전극 용액을 100 rpm 내지 10,000 rpm의 속도로 스핀코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제2단계 및 제3단계가, 복합 투명전극 용액을 0
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제11항에 있어서,상기 제2단계 및 제3단계가, 0
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 전자 소자의 광활성 면적이 0
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