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입사광이 가지는 색온도 및 조도의 광학적 특성에 따라 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 컨덕턴스(conductance)가 가변되는 광 트랜지스터; 및제1 전극이 광 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되며, 광 트랜지스터의 가변된 컨덕턴스에 따라 가변되는 컨덕턴스를 저장하는 2단자의 가변 저항 메모리 소자;를 포함하는 디바이스
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제1항에 있어서,상기 가변 저항 메모리 소자의 제2 전극으로 강화 펄스(potentiation pulse)의 전압 인가 후에 저하 펄스(depression pulse)의 전압이 인가되면서 상기 광학적 특성이 반영된 가변 컨덕턴스를 저장하는 디바이스
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제1항에 있어서,상기 광 트랜지스터를 온(on)시키는 전압이 상기 광 트랜지스터의 게이트 전극으로 인가되어 입사광의 영향이 반영되는 제1 샘플링 과정이 수행되며,상기 제1 샘플링 과정 중에 상기 가변 저항 메모리 소자의 제2 전극으로 강화 펄스(potentiation pulse)의 전압이 인가되는 디바이스
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제3항에 있어서,상기 가변 저항 메모리 소자의 컨덕턴스는 상기 제1 샘플링 과정에서 상기 강화 펄스가 인가됨에 따라 상기 광학적 특성을 반영하면서 점차적으로 증가하도록 가변되는 디바이스
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제3항에 있어서,상기 제1 샘플링 과정 이후, 상기 제1 샘플링 과정에 따라 상기 가변 저항 메모리 소자에 저장된 가변 컨덕턴스에 대한 정보를 도출하는 판독 모드(reading mode)의 전압이 상기 가변 저항 메모리 소자의 제2 전극으로 인가되는 디바이스
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제3항에 있어서,상기 제1 샘플링 과정 이후, 상기 광 트랜지스터를 오프(off)시키는 전압이 상기 광 트랜지스터의 게이트 전극으로 인가되어 입사광의 영향이 줄거나 차단되는 제2 샘플링 과정이 수행되며,상기 제2 샘플링 과정 중에 상기 가변 저항 메모리 소자의 제2 전극으로 저하 펄스(depression pulse)의 전압이 인가되는 디바이스
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제6항에 있어서,상기 가변 저항 메모리 소자의 컨덕턴스는 상기 제2 샘플링 과정에서 상기 저하 펄스가 인가됨에 따라 상기 광학적 특성을 반영하면서 점차적으로 줄어들도록 가변되는 디바이스
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제7항에 있어서,상기 제2 샘플링 과정 이후, 상기 제2 샘플링 과정에 따라 상기 가변 저항 메모리 소자에 저장된 가변 컨덕턴스에 대한 정보를 도출하는 판독 모드(reading mode)의 전압이 상기 가변 저항 메모리 소자의 제2 전극으로 인가되는 디바이스
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제7항에 있어서,상기 제2 샘플링 과정 이후, 상기 광 트랜지스터를 리셋(RESET)하기 위한 전압이 상기 광 트랜지스터의 게이트 전극으로 인가되는 디바이스
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제2항에 있어서,상기 입사광이 조도가 동일하더라도 색온도가 다른 광학적 특성을 가지거나 색온도가 동일하더라도 조도가 다른 광학적 특성을 가지는 경우, 상기 전압의 인가에 따라 가변되는 상기 가변 저항 메모리 소자의 컨덕턴스가 다른 패턴으로 가변되는 디바이스
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제2항에 있어서,적색광, 녹색광 및 청색광의 각 입사광에 대한 상기 가변 저항 메모리 소자의 각 가변 컨덕턴스는 상기 강화 펄스의 전압 인가에 따른 시작 컨덕턴스의 값과, 마지막 컨덕턴스의 값과, 시작 컨덕턴스와 마지막 컨덕턴스 사이의 변화량이 서로 다른 디바이스
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제1항에 있어서,상기 가변 저항 메모리 소자는 멤리스터(memristor), RRAM(Resistive Random Access Memory), PcRAM(Phase-change Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory), CBRAM(Conductive Bridging Random Access Memory) 중 어느 하나를 포함하는 디바이스
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입사광이 가지는 색온도 및 조도의 광학적 특성에 따라 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 컨덕턴스(conductance)가 가변되는 광 트랜지스터; 및광 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되는 제1 전극과, 제1 전극 상에 마련되고 2개 전극 사이의 인가 전압에 따라 저항 변화가 발생하는 저항 변화층과, 저항 변화층 상에 마련되고 강화 펄스(potentiation pulse)의 전압 인가 후에 저하 펄스(depression pulse)의 전압이 인가되는 제2 전극을 각각 구비한 2단자의 멤리스터 소자;를 포함하며,상기 멤리스터 소자는 광 트랜지스터의 가변된 컨덕턴스에 따라 가변되는 컨덕턴스를 저장하는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 저항 변화층은 산화물 재료로 이루어지며,상기 멤리스터 소자는 제2 전극에 인가되는 전압에 따른 산소 전하의 이동에 따라 컨덕턴스가 가변되는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 광 트랜지스터의 채널층과 상기 멤리스터의 저항 변화층은 동일한 산화물 재료로 이루어지는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 저항 변화층은 적색광, 녹색광 및 청색광 중에 청색광에 대한 반응성이 가장 높은 금속산화물 재료로 이루어지는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 저항 변화층의 가변 컨덕턱스는 강화 펄스의 전압 인가 시 청색광이 입사광인 경우가 적색광 및 녹색광이 입사광인 경우에 비해 시작 및 마지막 컨덕턴스 값이 가장 크거나 시작 컨덕턴스와 마지막 컨덕턴스 사이의 변화량이 가장 큰 디바이스
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입사광이 가지는 색온도 및 조도의 광학적 특성에 따라 컨덕턴스가 가변되고 가변된 컨덕턴스를 저장하는 디바이스;입사광의 광학적 특성이 반영된 가변 컨덕턴스에 대한 입력 정보로부터 입사광의 광학적 특성, 일주기 조도 또는 일주기 리듬에 관련된 결과 정보를 출력하도록 기 학습된 머신 러닝 모델; 및디바이스에 저장된 가변 컨덕턴스에 대한 입력 정보를 머신 러닝 모델에 입력시켜 상기 결과 정보가 출력되도록 제어하는 제어부;를 포함하는 시스템
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제18항에 있어서,상기 디바이스는,입사광이 가지는 색온도 및 조도의 광학적 특성에 따라 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 컨덕턴스(conductance)가 가변되는 광 트랜지스터; 및제1 전극이 광 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 어느 한 전극에 연결되며, 광 트랜지스터의 가변된 컨덕턴스에 따라 가변되는 컨덕턴스를 저장하는 가변 저항 메모리 소자;를 포함하는 시스템
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제19항에 있어서,상기 가변 저항 메모리 소자는 강화 펄스(potentiation pulse)의 전압 시에 제1 가변 컨덕턴스에 대한 정보를 저장하고, 이후 저하 펄스(depression pulse)의 전압 인가 시에 제2 가변 컨덕턴스에 대한 정보를 저장하며,상기 제어부는 상기 제1 및 제2 가변 컨덕턴스에 대한 정보를 포함하는 입력 정보를 상기 머신 러닝 모델에 입력하는 시스템
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