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유기 태양전지의 전자수송층 도핑에 따른 열 안정성을 분석하는 방법

  • 기술번호 : KST2022023251
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따른, 유기 태양전지의 도핑에 따른 열 안정성을 분석하는 방법은, a) 전자 수송층(ETL)으로 채택한 제1소재 물질로 제조된 유기 태양전지장치의 샘플1과 상기 샘플1과 동일한 재료로 제조되며, 도핑 물질로 상기 제1소재 물질을 도핑한 제2소재 물질로 전자 수송층(ETL)으로 채택한 태양전지 장치 샘플2를 준비하는 단계; b) 상기 준비된 샘플1, 2의 단락전류(Jsc), 충전율(fill factor), 전력변화효율(PCE), 개방전압(Voc) 및 전류밀도-전압 (current density, J-V) 특성 중 하나 이상을 포함하는 매개변수의 초기 특성을 측정하는 단계; c) 상기 샘플1과 샘플2를 빛이 차단된 진공 챔버에서 85℃로 6~7 시간의 열 어닐링을 수행하는 열분해 단계; d) 상기 열분해 단계를 거친 샘플1, 2의 단락전류(Jsc), 충전율(fill factor), 전력변화효율(PCE), 개방전압(Voc) 및 전류밀도-전압 (current density, J-V) 특성 중 하나 이상을 포함하는 매개변수의 열분해 후 특성을 측정하는 단계; 및 e) 상기 준비된 샘플1, 2의 매개변수와 상기 열분해 단계를 거친 샘플1, 2의 매개변수를 비교하여 열안정성을 판단하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0031(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0047(2013.01)
출원번호/일자 1020210066691 (2021.05.25)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0159514 (2022.12.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재훈 서울시 관악구
2 이현호 경기도 고양시 덕양구
3 윤범희 서울시 강동구
4 허동범 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층(서초동,강남역 인앤인빌딩 )

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-0598572-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
유기 태양전지의 도핑에 따른 열 안정성을 분석하는 방법에 있어서,상기 방법은a) 전자 수송층(ETL)으로 채택한 제1소재 물질로 제조된 유기 태양전지장치의 샘플 1과 상기 샘플 1과 동일한 재료로 제조되되, 도핑 물질로 상기 제1소재 물질을 도핑한 제2소재 물질로 전자 수송층(ETL)으로 채택한 태양전지 장치 샘플 2를 준비하는 단계;b) 상기 준비된 샘플 1, 2의 단락전류(Jsc), 충전율(fill factor), 전력변환효율(PCE), 개방전압(Voc) 및 전류밀도-전압(current density, J-V) 특성 중 하나 이상을 포함하는 매개변수의 초기 특성을 측정하는 단계;c) 상기 샘플 1과 샘플 2를 빛이 차단된 진공 챔버에서 85℃로 6~7시간의 열 어닐링을 수행하는 열분해 단계;d) 상기 열분해 단계를 거친 샘플 1과 샘플 2의 단락전류(Jsc), 충전율(fill factor), 전력변환효율(PCE), 개방전압(Voc) 및 전류밀도-전압(current density, J-V) 특성 중 하나 이상을 포함하는 매개변수의 열분해 후 특성을 측정하는 단계; 및e) 상기 b) 단계에서 측정된 준비된 샘플 1, 2의 매개변수와 d) 단계에서 측정된 샘플 1, 2의 매개변수를 비교하여 열안정성을 판단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
2 2
제1항에 있어서,상기 e) 단계에서, 준비된 샘플 1, 2의 매개변수와 상기 열분해 단계를 거친 샘플 1, 2의 매개변수를 비교하여, 열분해 단계 후에 상기 매개변수의 변화된 감소율에 의해 열안정성을 분석하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 b), d) 단계에서 다음 식에 의한 열분해 광강도(light intensity: Plight)의존 VOC의 변화를 측정하는 단계를 더 포함하며, 열분해 단계 후에 이상 계수(n) 슬로프의 증가율에 따라 열안정성을 분석하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
4 4
제1항에 있어서,상기 b), d)단계에서 X선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy)에 의한 산소의 정성분석 단계를 더 포함하며, 열분해 단계 후의 낮은 에너지 결합 스펙트럼과 높은 에너지 결합 스펙트럼의 비에 따라 열안정성을 분석하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
5 5
제1항에 있어서,상기 b), d) 단계에서 다음 식에 의한 유효전압((Veff)에 대한 광전류 밀도(Jph)의 변화를 측정하는 단계를 더 포함하며, 열분해 단계 후의 유효전압((Veff) 변화 대한 광전류 밀도(Jph) 변화가 열분해 단계 전 보다 적은 샘플이 더 안정적인 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
6 6
제1항에 있어서,상기 샘플 1과 샘플 2는, Cathod 역할을 하고 ITO가 패턴화된 ITO층; 상기 ITO층 하부에 적층이 되는 전자 수송층(ETL); 상기 전자 수송층(ETL) 하부에 형성되는 광활성층; 상기 광활성층 하부에서 정공수송층으로 사용되는 MoO3층 및 상기 MoO3층 하부에 형성되며, anode 역할을 하는 AL층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
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제1항에 있어서,상기 샘플 1은아세톤, 이소 프로필 알코올(IPA), 탈 이온수(DI)로 순차적으로 세척 한 후 ITO(indium tin oxide)가 패턴화된 유리 기판으로 형성된 ITO층을 준비하는 단계;ZnO 용액을 포함한 전자수송층(ETL)을 패턴화된 상기 ITO층을 스핀 코팅하여 ZnO 를 포함한 전자 수송층(ETL)을 형성하는 단계; - 여기서 ZnO 용액은 아연 아세테이트 이수화물(zinc acetate dehydrate) 에 에탄올 아민(ethanolamine)을 적가하면서 2- 메톡시 에탄올에 용해시켜서 형성하는 것임,상기 전자수송층(ETL) 위에 광활성증 용액을 코팅하여 광활성층을 형성하는 단계 및상기 광활성층 하부에 상기 MoO3층 및 AL전극층을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 샘플 2는, 상기 샘플 1의 전자 수송층(ETL)을 형성하는 과정에 ZnO 용액에 질산 알루미늄 노나 하이드레이트(aluminum nitrate nonahydrat)를 첨가하여 샘플 2의 전자 수송층(ETL)을 형성하여 제조하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
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제7항에 있어서,상기 광활성층 용액은 PTB7-th: PC70BM(1: 2 중량비)을 1,2- 디클로로 벤젠 (dichloro benzene)에 총 농도가 36mg/ml-1이되도록 용해하는 공정을 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
10 10
제9항에 있어서,상기 광활성층은 상기 광활성증 용액에 1,8- 디 요오도 옥탄(diiodooctane)을 첨가하여 70℃에서 8시간 이상 교반한 다음, 1000rpm으로 60초 동안 상기 전자수송층(ETL) 위에 스핀 코팅한 후, 고진공(10-6Torr) 하에서 안정시키는 공정을 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 열안정성 분석방법
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패밀리정보가 없습니다
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