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기판 상에 적층되고, MESFET 및 MISFET의 구동 특성을 갖는 공통 소스/드레인 전극; 공통 소스/드레인 전극 사이의 기판 상에 형성되고, MESFET 및 MISFET의 구동 특성을 갖는 공통 반도체 채널;공통 소스/드레인 전극 및 공통 반도체 채널 상에 적층되고, MISFET의 구동 특성을 갖는 게이트 절연막; 및 게이트 절연막 상에 적층되고, MESFET 및 MISFET의 구동 특성을 갖는 공통 게이트 전극 을 포함하고, 공통 게이트 전극은, 공통 게이트 전극과 공통 반도체 채널의 직접적인 접합을 이루며 전류의 흐름을 제어하는 MESFET의 구동 특성 및 공통 게이트 전극과 공통 반도체 채널 사이에 존재하는 게이트 절연막에 의해 공통 게이트 전극으로 흐르게 되는 누설전류를 차단하는 MISFET의 구동 특성을 갖고, 공통 반도체 채널과 쇼트키 접합을 이루는 금속 물질을 포함하며, 공통 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 ON 전류가 흐르는 동작 영역, OFF 전류가 흐르는 동작 영역 또는 SS(Subthreshold Slope)를 결정하는 동작 영역 중 어느 한 영역에서 동작하고, 상기 MISFET의 구동 특성에 의해 점멸비(on/off ratio)를 증가시키고, 상기 MESFET의 구동 특성에 의해 SS(Subthreshold Slope)를 증가시키는 이종구조 융합 소자
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제1항에 있어서,게이트 절연막은, 공통 게이트 전극과 공통 반도체 채널을 절연시키는 절연 물질을 포함하고,공통 반도체 채널은, 공통 게이트 전극에 의해 ON/OFF 전류의 제어가 가능한 물질을 포함하고, 공통 소스/드레인 전극은, 공통 반도체 채널과 오믹 접합(Ohmic contact)을 이루는 금속 물질을 포함하는 이종구조 융합 소자
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공통 소스/드레인 전극, 공통 반도체 채널, 게이트 절연막 및 공통 게이트 전극을 포함하는 이종구조 융합 소자의 동작 방법에 있어서, 공통 소스/드레인 전극에 각각 접지 및 드레인 전압을 인가하는 단계; 공통 게이트 전극에 전압을 인가하는 단계; 및 공통 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 ON 전류가 흐르는 동작 영역, OFF 전류가 흐르는 동작 영역 또는 SS(Subthreshold Slope)를 결정하는 동작 영역 중 어느 한 영역에서 동작하는 단계를 포함하고, 공통 게이트 전극과 공통 반도체 채널의 직접적인 접합을 이루며 전류의 흐름을 제어하는 MESFET의 구동 특성 및 공통 게이트 전극과 공통 반도체 채널 사이에 존재하는 게이트 절연막에 의해 공통 게이트 전극으로 흐르게 되는 누설전류를 차단하는 MISFET의 구동 특성을 갖고, 공통 반도체 채널과 쇼트키 접합을 이루는 금속 물질을 포함하는 공통 게이트 전극을 통해, 상기 공통 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 ON 전류가 흐르는 동작 영역, OFF 전류가 흐르는 동작 영역 또는 SS(Subthreshold Slope)를 결정하는 동작 영역 중 어느 한 영역에서 동작하고, 상기 MISFET의 구동 특성에 의해 점멸비(on/off ratio)를 증가시키고, 상기 MESFET의 구동 특성에 의해 SS(Subthreshold Slope)를 증가시키는이종구조 융합 소자의 동작 방법
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제4항에 있어서, ON 전류가 흐르는 동작 영역의 경우, 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극에 의해 공통 반도체 채널에 캐리어가 축적되어 ON 전류가 흐르는 이종구조 융합 소자의 동작 방법
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제4항에 있어서, OFF 전류가 흐르는 동작 영역의 경우, 게이트 절연막을 사이에 두고 공통 게이트 전극에 의해 공통 반도체 채널에 캐리어가 공핍되는 이종구조 융합 소자의 동작 방법
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제4항에 있어서, SS(Subthreshold Slope)를 결정하는 동작 영역의 경우, 공통 게이트 전극과 공통 반도체 채널의 직접적인 접합에 의해 캐리어가 공핍되는 이종구조 융합 소자의 동작 방법
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