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하기 화학식 1의 구조를 갖는 제1 화합물로 형성된 고분자 전해질막을 포함하고, 상기 고분자 전해질막은 일 면에 세륨 나노입자가 분산된 제1 표면층 및 상기 제1 표면층 반대면에 세륨 나노입자가 분산된 제2 표면층을 포함하여 층상 구조를 이루는 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막:003c#화학식 1003e#
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 표면층의 두께는 각각 1 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 표면층은 각각 세륨 나노입자가 2 내지 4 wt%으로 분산된 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 세륨 나노입자는 산화세륨(CeO2) 나노입자인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제1항에 있어서,상기 연료전지용 이온교환막의 두께는 80 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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양극;음극; 및상기 양극 및 음극 사이에 배치된, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 연료전지용 이온교환막;을 포함하는, 연료 전지
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하기 화학식 1의 구조를 갖는 제1 화합물을 제조하는 제1 단계 및 상기 제1 화합물로 형성된 박막에 세륨 나노입자를 고분자 용액에 분산시킨 혼합용액을 도포하는 제2 단계를 포함하고,상기 제2 단계는 상기 제1 화합물로 형성된 박막의 양 면에 혼합 용액을 도포하여 층상 구조를 이루는,연료전지용 이온교환막의 제조방법:003c#화학식 1003e#
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제7항에 있어서,상기 제1 단계는,폴리(아릴렌에테르술폰)에 알킬기 포함하는 술폰산기를 그래프팅(grafting)하여 수행하는 것인,연료전지용 이온교환막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 그래프팅(grafting)은 소듐 3-머캅토-프로판설포네이트(sodium 3-mercapto-1-propanesulfonate)를 이용하여 수행하는 것인,연료전지용 이온교환막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제2 단계는, 스프레이 방법을 통해 도포되는 것인,연료전지용 이온교환막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 고분자 용액은 SPI(Sulfonated polyimide), SPEEK(Sulfonated poly(ether ether ketone)), SPAEK(Sulfonated poly(arylene ether ketone)) 및 SPAES(Sulfonated poly(arylene ether sulfone)) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막의 제조방법
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제7항 내지 제11항의 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 연료전지용 이온교환막에 있어서,상기 연료전지용 이온교환막은,하기 화학식 1의 구조를 갖는 제1 화합물로 형성된 고분자 전해질막을 포함하고, 상기 고분자 전해질막은 일 면에 세륨 나노입자가 분산된 제1 표면층 및 상기 제1 표면층 반대면에 세륨 나노입자가 분산된 제2 표면층을 포함하는 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제12항에 있어서,상기 제1 및 제2 표면층의 두께는 각각 1 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제12항에 있어서,상기 제1 및 제2 표면층은 각각 세륨 나노입자가 2 내지 4 wt% 분산된 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제12항에 있어서,상기 세륨 나노입자는 산화세륨(CeO2) 나노입자인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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제12항에 있어서,상기 연료전지용 이온교환막의 두께는 80 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는,연료전지용 이온교환막
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