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병렬 바랙터를 사용한 스택 구조 전력 증폭기

  • 기술번호 : KST2022023448
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 병렬 바랙터를 사용한 스택 구조 전력 증폭기에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 스택 구조를 가지며 제1 트랜지스터를 통해 입력된 신호를 증폭하여 제N 트랜지스터를 통하여 출력하는 N개의 트랜지스터와, k번째 단(k는 2 이상의 정수)에 위치한 제2 내지 제N 트랜지스터의 각 게이트와 제1 전원 사이에 각각 배치되고 적어도 하나의 바랙터를 포함하여 구성된 N-1개의 가변 커패시터부와, 상기 N-1개의 가변 커패시터부 각각에 대해 커패시턴스 조정을 위한 제어 전압을 개별 인가하는 전압 인가부, 및 k번째 단의 트랜지스터의 전기적 특성을 기초로 k번째 단에 위치한 가변 커패시터부에 인가되기 위한 상기 제어 전압의 크기를 각각 결정하고, 결정된 제어 전압을 인가하도록 상기 전압 인가부를 제어하는 제어부를 포함하는 스택 구조 전력 증폭기를 제공한다. 본 발명에 따르면, 스택 구조 증폭기에 사용되는 병렬 커패시터를 가변 커패시터인 바랙터로 사용하여 커패시턴스를 최적 값으로 조절함으로써 발진 및 부정합 문제를 방지함은 물론 전체 회로의 안정적인 동작을 확보할 수 있다.
Int. CL H03F 1/22 (2006.01.01) H03F 1/02 (2006.01.01) H03F 3/45 (2006.01.01)
CPC H03F 1/223(2013.01) H03F 1/0266(2013.01) H03F 3/45183(2013.01) H03F 2200/213(2013.01)
출원번호/일자 1020210054679 (2021.04.28)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0147779 (2022.11.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박창근 경기도 광명시 광덕산로 **,
2 양준혁 경기도 수원시 장안구
3 정하연 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 비동****호(가산동,한라원앤원타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-0494407-94
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.10.28 수리 (Accepted) 4-1-2021-5282132-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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스택 구조를 가지며 제1 트랜지스터를 통해 입력된 신호를 증폭하여 제N 트랜지스터를 통하여 출력하는 N개의 트랜지스터;k번째 단(k는 2 이상의 정수)에 위치한 제2 내지 제N 트랜지스터의 각 게이트와 제1 전원 사이에 각각 배치되고 적어도 하나의 바랙터를 포함하여 구성된 N-1개의 가변 커패시터부;상기 N-1개의 가변 커패시터부 각각에 대해 커패시턴스 조정을 위한 제어 전압을 개별 인가하는 전압 인가부; 및k번째 단의 트랜지스터의 전기적 특성을 기초로 k번째 단에 위치한 가변 커패시터부에 인가되기 위한 상기 제어 전압의 크기를 각각 결정하고, 결정된 제어 전압을 인가하도록 상기 전압 인가부를 제어하는 제어부를 포함하는 스택 구조 전력 증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 제1 전원은 접지 전원이며, 상기 가변 커패시터부는, k번째 단의 트랜지스터의 게이트와 상기 접지 전원 사이에 서로 직렬 연결된 한 쌍의 바랙터를 포함하며, 상기 한 쌍의 바랙터 간의 접점 부위에 상기 제어 전압이 인가되는 스택 구조 전력 증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 제1 전원은 0V 보다 높은 크기의 직류 바이어스 전원이며,상기 가변 커패시터부는, k번째 단의 트랜지스터의 게이트와 상기 직류 바이어스 전원 사이에 연결된 단일의 바랙터를 포함하고, 상기 바랙터와 상기 게이트 간의 접점 부위에 상기 제어 전압이 인가되는 스택 구조 전력 증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 제어부는,k번째 단의 트랜지스터의 전기적 특성을 기초로 k번째 단에 위치한 바랙터의 목표 커패시턴스 값을 결정한 다음, 상기 결정된 목표 커패시턴스 값과 상기 바랙터에 기 설정된 기준 커패시턴스 값 간의 커패시턴스 편차를 기반으로 상기 바랙터에 인가되기 위한 상기 제어 전압의 크기를 최종 결정하는 스택 구조 전력 증폭기
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청구항 4에 있어서,상기 커패시턴스 편차는 아래 수학식으로 정의되는 스택 구조를 갖는 전력 증폭기:여기서, Cvar,k는 k번째 단의 바랙터에 요구되는 목표 커패시턴스 값, Coffset,k는 k번째 단의 바랙터에 기 설정된 기준 커패시턴스 값, ΔCctrl,k는 k번째 단의 바랙터에 대해 추가 조정이 요구되는 상기 커패시턴스 편차를 나타낸다
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청구항 5에 있어서,상기 목표 커패시턴스 값은 아래 수학식에 의해 결정되는 스택 구조를 갖는 전력 증폭기:여기서, Cgs,k 및 Cgd,k는 k번째 단의 트랜지스터의 게이트-소스 간 기생 커패시턴스 성분 및 게이트-드레인 간 기생 커패시턴스 성분, gm,k는 k번째 단의 트랜지스터의 상호 컨덕턴스, Ropt는 기 설정되는 값으로 최적 전압으로 스윙되기 위한 트랜지스터 저항 값을 나타낸다
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청구항 4에 있어서,상기 제어부는,서로 다른 크기의 복수의 커패시턴스 편차 별로 그에 대응되는 제어 전압 값을 저장한 정보 테이블로부터, 상기 커패시턴스 편차에 대응되는 제어 전압 값을 선택하여 해당 단의 바랙터에 필요한 제어 전압으로 결정하는 스택 구조 전력 증폭기
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청구항 1에 있어서,차동 증폭 구조 또는 싱글 엔디드 증폭 구조로 구현되는 스택 구조 전력 증폭기
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청구항 1에 있어서,상기 제1 내지 제N 트랜지스터의 각 게이트마다 직류 바이어스 전압이 인가되는 스택 구조 전력 증폭기
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1 산업통상자원부 한국과학기술원 민군기술협력(R&D)(산업부) 주파수 활용 효율화를 위한 Low Beam Squint 송수신 빔포밍 기술 개발