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클릭반응을 이용한 CNT 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022023455
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 CNT 트랜지스터는 클릭반응을 이용하여 CNT 필름이 고밀도로 균일하게 형성되어 물이나 유기 용매에 대한 높은 안정성을 가질 수 있다. 특히, 종래에 CNT 용액을 스프레이 코팅 및 스핀 코팅하여 제조한 CNT 트랜지스터는 소자간 물성차이가 커 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 없었던 반면, 본 발명에 따른 CNT 트랜지스터는 비교적 간단한 방법으로 높은 재현성 및 신뢰성을 갖는 CNT 트랜지스터를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/05(2013.01) H01L 51/0002(2013.01) H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0043(2013.01) H01L 51/0094(2013.01)
출원번호/일자 1020210118340 (2021.09.06)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-2477148-0000 (2022.12.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20221213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.09.06)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임보규 대전광역시 유성구
2 박종목 대전광역시 유성구
3 정서현 대전광역시 유성구
4 공호열 대전광역시 유성구
5 정유진 대전광역시 유성구
6 김예진 대전광역시 유성구
7 이승훈 대전광역시 유성구
8 헤녹 대전광역시 유성구
9 윤수열 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2021-1028951-81
2 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search
2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
3 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2022.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-0609159-64
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2022.06.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2022.06.24 수리 (Accepted) 9-1-2022-0009075-74
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0547414-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0919773-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2022-0919790-92
9 등록결정서
Decision to grant
2022.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0922128-15
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번호 청구항
1 1
기판 상에 제1고분자로부터 형성된 고분자층;상기 고분자층 상에 제2고분자-CNT 복합체로부터 형성된 복합체층; 및상기 복합체층 상에 형성된 금속 전극;을 포함하며,상기 제2고분자-CNT복합체는 제2고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 고분자층과 복합체층은 트리아졸을 통해 연결되는 것이고, 상기 제1고분자는 하기 화학식 2로 표시되고,상기 제2고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서,상기 트리아졸은 하기 화학식 1로 표시되는 CNT 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서,상기 트리아졸은 상기 제1고분자와 제2고분자의 클릭반응에 의해 형성되는 것이고, 상기 클릭반응은 하기 반응식 1로 표시되는 반응인 CNT 트랜지스터
4 4
제 1항에 있어서,상기 제1고분자는 아크릴계 공중합체인 CNT 트랜지스터
5 5
제 1항에 있어서,상기 화학식 2는 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
6 6
제 5항에 있어서,상기 화학식 4는 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
7 7
제 6항에 있어서,상기 화학식 6은 하기 화학식 7로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
8 8
제 5항에 있어서,상기 화학식 5는 하기 화학식 8로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
9 9
제 8항에 있어서,상기 화학식 8은 하기 화학식 9로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
10 10
제 1항에 있어서,상기 제2고분자는 플루오렌기반 공중합체인 CNT 트랜지스터
11 11
제 1항에 있어서,상기 화학식 3은 하기 화학식 10의 반복단위(n) 및 하기 화학식 11의 반복단위(m)를 포함하는 공중합체인 CNT 트랜지스터
12 12
제 11항에 있어서,상기 공중합체에서 상기 반복단위(n) 및 반복단위(m)의 몰분율을 각 n 및 m 라고 할 때, n+m=1 이고, 상기 n는 0
13 13
제 1항에 있어서,상기 CNT 트랜지스터는 기판과 고분자층 사이에 자기 조립 단분자층(SAM)을 더 포함하는 것인 CNT 트랜지스터
14 14
제 13항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층(SAM)은 하기 화학식 12로 표시되는 화합물로부터 형성된 것인 CNT 트랜지스터
15 15
제 1항에 있어서,상기 제2고분자-CNT 복합체에서 상기 CNT는 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(sc-SWCNT)인 CNT 트랜지스터
16 16
기판 상에 제1고분자로부터 형성된 고분자층;상기 고분자층 상에 제2고분자-CNT 복합체로부터 형성된 복합체층; 및상기 복합체층 상에 형성된 금속 전극;을 포함하며,상기 제2고분자-CNT복합체는 제2고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 고분자층과 복합체층은 트리아졸을 통해 연결되는 것이고, 상기 제1고분자는 하기 화학식 2로 표시되고,상기 제2고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
17 17
제 16항에 있어서,상기 CNT 트랜지스터의 제조방법은(a) 기판 상에 제1고분자를 코팅 및 고정화하는 단계;(b) 상기 제1고분자가 코팅된 기판을 제2고분자-CNT 복합체 용액에 침지하는 단계;(c) 상기 제1고분자와 제2고분자가 클릭반응하여 고분자층 및 복합체층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 복합체층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
18 18
제 17항에 있어서,상기 (a) 단계는, (a-1) 용매로 기판을 세척하는 단계;(a-2) 자기 조립 단분자층(SAM)을 코팅하는 단계;(a-3) 상기 제1고분자를 코팅하는 단계; (a-4) UV 경화 단계; 및(a-5) 용매로 기판에 미고정된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
19 19
제 18항에 있어서,상기 (a-3) 단계에서, 상기 제1고분자는 하기 화학식 4로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
20 20
제 18항에 있어서,상기 (a-4) 단계는 패턴 형성 단계를 더 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
21 21
제 17항에 있어서,상기 (a) 단계는(a'-1) 용매로 기판을 세척하는 단계;(a'-2) 상기 제1고분자를 코팅하는 단계;(a'-3) 열처리 단계; 및(a'-4) 용매로 기판에 미고정된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
22 22
제 21항에 있어서,상기 (a'-2) 단계에서, 상기 제1고분자는 하기 화학식 5로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
23 23
제 17항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 제2고분자-CNT 복합체 용액은 제2고분자, CNT 및 용매를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.