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기판 상에 제1고분자로부터 형성된 고분자층;상기 고분자층 상에 제2고분자-CNT 복합체로부터 형성된 복합체층; 및상기 복합체층 상에 형성된 금속 전극;을 포함하며,상기 제2고분자-CNT복합체는 제2고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 고분자층과 복합체층은 트리아졸을 통해 연결되는 것이고, 상기 제1고분자는 하기 화학식 2로 표시되고,상기 제2고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
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2
제 1항에 있어서,상기 트리아졸은 하기 화학식 1로 표시되는 CNT 트랜지스터
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3
제 1항에 있어서,상기 트리아졸은 상기 제1고분자와 제2고분자의 클릭반응에 의해 형성되는 것이고, 상기 클릭반응은 하기 반응식 1로 표시되는 반응인 CNT 트랜지스터
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4 |
4
제 1항에 있어서,상기 제1고분자는 아크릴계 공중합체인 CNT 트랜지스터
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5 |
5
제 1항에 있어서,상기 화학식 2는 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
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6
제 5항에 있어서,상기 화학식 4는 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
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7
제 6항에 있어서,상기 화학식 6은 하기 화학식 7로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
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8
제 5항에 있어서,상기 화학식 5는 하기 화학식 8로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
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9
제 8항에 있어서,상기 화학식 8은 하기 화학식 9로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터
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10
제 1항에 있어서,상기 제2고분자는 플루오렌기반 공중합체인 CNT 트랜지스터
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11
제 1항에 있어서,상기 화학식 3은 하기 화학식 10의 반복단위(n) 및 하기 화학식 11의 반복단위(m)를 포함하는 공중합체인 CNT 트랜지스터
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12
제 11항에 있어서,상기 공중합체에서 상기 반복단위(n) 및 반복단위(m)의 몰분율을 각 n 및 m 라고 할 때, n+m=1 이고, 상기 n는 0
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13
제 1항에 있어서,상기 CNT 트랜지스터는 기판과 고분자층 사이에 자기 조립 단분자층(SAM)을 더 포함하는 것인 CNT 트랜지스터
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14
제 13항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층(SAM)은 하기 화학식 12로 표시되는 화합물로부터 형성된 것인 CNT 트랜지스터
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15
제 1항에 있어서,상기 제2고분자-CNT 복합체에서 상기 CNT는 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(sc-SWCNT)인 CNT 트랜지스터
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16
기판 상에 제1고분자로부터 형성된 고분자층;상기 고분자층 상에 제2고분자-CNT 복합체로부터 형성된 복합체층; 및상기 복합체층 상에 형성된 금속 전극;을 포함하며,상기 제2고분자-CNT복합체는 제2고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 고분자층과 복합체층은 트리아졸을 통해 연결되는 것이고, 상기 제1고분자는 하기 화학식 2로 표시되고,상기 제2고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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17
제 16항에 있어서,상기 CNT 트랜지스터의 제조방법은(a) 기판 상에 제1고분자를 코팅 및 고정화하는 단계;(b) 상기 제1고분자가 코팅된 기판을 제2고분자-CNT 복합체 용액에 침지하는 단계;(c) 상기 제1고분자와 제2고분자가 클릭반응하여 고분자층 및 복합체층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 복합체층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 (a) 단계는, (a-1) 용매로 기판을 세척하는 단계;(a-2) 자기 조립 단분자층(SAM)을 코팅하는 단계;(a-3) 상기 제1고분자를 코팅하는 단계; (a-4) UV 경화 단계; 및(a-5) 용매로 기판에 미고정된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 (a-3) 단계에서, 상기 제1고분자는 하기 화학식 4로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 (a-4) 단계는 패턴 형성 단계를 더 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 (a) 단계는(a'-1) 용매로 기판을 세척하는 단계;(a'-2) 상기 제1고분자를 코팅하는 단계;(a'-3) 열처리 단계; 및(a'-4) 용매로 기판에 미고정된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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제 21항에 있어서,상기 (a'-2) 단계에서, 상기 제1고분자는 하기 화학식 5로 표시되는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 제2고분자-CNT 복합체 용액은 제2고분자, CNT 및 용매를 포함하는 것인 CNT 트랜지스터의 제조방법
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