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고화매질 유입구, 방사성 요오드 유입구, 요오드 고화체 배출구 및 기체 배출구를 구비하고, 가열 장치가 구비된 요오드 포집 및 고화부; 상기 기체 배출구와 연통되는 기체 유입구 및 기체 배출구를 구비하는 냉각장치; 및상기 냉각장치의 기체 배출구와 연통되는 유입구, 운반 기체 배출구 및 고체 요오드 배출구를 구비하는 고체-기체 분리장치를 구비하며, 상기 고체-기체 분리장치의 고체 요오드 배출구는 상기 요오드 포집 및 고화부의 요오드 유입구(요오드 유입구 1)에 연통되는, 요오드 포집 및 고화 장치
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제1항에 있어서, 상기 요오드 포집 및 고화부의 온도는 상온 내지 1400 ℃로 운전되는, 방사성 요오드 포집 및 고화 장치
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제1항에 있어서, 상기 방사성 요오드 포집 및 고화 장치는 방사성 요오드 유입구(요오드 유입구 1)로 기체 상의 방사성 요오드를 제공하는 요오드 가열부를 추가로 구비하며, 상기 요오드 가열부는 요오드 유입구(요오드 유입구 2) 및 운반 기체 유입구를 구비하며, 이때 상기 고체-기체 분리장치의 고체 요오드 배출구는 상기 요오드 가열 장치에 연통되는, 방사성 요오드 포집 및 고화 장치
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제1항에 있어서, 요오드 포집 및 고화부는 방사성 요오드 유입구(요오드 유입구 1) 측에 기체 분산판을 추가로 구비하는, 방사성 요오드 포집 및 고화 장치
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제1항에 있어서, 상기 고체-기체 분리장치는 사이클론인, 방사성 요오드 포집 및 고화 장치
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방사성 요오드와 고화매질을 혼합하여 방사성 요오드를 고화매질에 포집하여 고화체를 획득하는 단계;상기 포집하는 단계에서 미반응된 방사성 요오드를 냉각하여 고체화하는 단계; 및상기 고체화 방사성 요오드를 상기 포집하는 단계의 원료 물질로 재투입하는 단계,를 포함하는, 요오드 포집 및 고화 방법
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제6항에 있어서, 상기 포집하는 단계에서 제공되는 방사성 요오드는 기체 요오드의 형태로 운반기체와 함께 혼합 기체로 또는 단독의 요오드 기체로 제공되는, 방사성 요오드 포집 및 고화 방법
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제6항에 있어서, 포집 시 상기 고화매질은 액상, 또는 액상 및 고상의 혼합물 형태인, 방사성 요오드 포집 및 고화 방법
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제6항에 있어서, 상기 고화 매질은 은(Ag) 및 텔루륨(Te), 또는 이의 전구체; 및 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 전이금속, 또는 이의 전구체를 포함하는, 요오드 포집 및 고화 방법
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제9항에 있어서, 방사성 요오드를 포집한 고화 매질의 조성은 하기 식(1)로 표시되며, 하기 식(1)에서 x는 0 초과 1 이하이며, M은 WO3, MoO3 및 V2O5 중 적어도 하나의 전이금속 산화물인, 방사성 요오드 포집 및 고화 방법
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제6항에 있어서, 상기 고체화 방사성 요오드를 상기 포집하는 단계의 원료 물질로 재투입하는 단계는 고화 매질의 은이 AgI로 포화될 때까지 반복 수행되는, 방사성 요오드 포집 및 고화 방법
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