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강유전체 메모리 소자를 포함하는 감지 증폭기 기반 비휘발성 플립플롭

  • 기술번호 : KST2022023573
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예들은 작은 하드웨어 면적, 적은 제어 신호 사용, 별도의 쓰기 회로가 없고, 작은 쓰기 전력 소모, 작은 읽기 시간 및 전력 소모가 가능하며, 저전력 동작이 요구되는 모바일 장치에 적용 가능한 비휘발성 메모리 소자가 적용된 감지증폭기 기반의 플립플롭을 제공한다.
Int. CL H03K 3/356 (2006.01.01) H03K 19/185 (2006.01.01) H03K 19/1776 (2020.01.01) G11C 11/22 (2006.01.01)
CPC H03K 3/356008(2013.01) H03K 3/356104(2013.01) H03K 19/185(2013.01) H03K 19/1776(2013.01) G11C 11/223(2013.01)
출원번호/일자 1020210070409 (2021.05.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0161983 (2022.12.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.31)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성욱 서울특별시 서대문구
2 김세건 서울특별시 서대문구
3 오태우 서울특별시 서대문구
4 임세희 서울특별시 서대문구
5 고동한 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2021-0628841-40
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235822-97
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0815472-18
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.11.25 1-1-2022-1263488-88
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-1263487-32
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.12.09 수리 (Accepted) 4-1-2022-5292360-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
데이터 입력 신호 및 데이터 바 입력 신호가 입력되고 세트 바(set bar) 신호 및 리셋 바(reset bar) 신호를 출력하는 감지증폭기;상기 감지증폭기에 연결되며 상기 세트 바 신호 및 상기 리셋 바 신호가 입력되고 데이터 출력 신호 및 데이터 바 출력 신호를 출력하는 래치; 및상기 감지증폭기 또는 상기 래치에 연결되며 강유전체 트랜지스터가 적용된 비휘발성 저장소자를 포함하는 비휘발성 플립플롭
2 2
제1항에 있어서,상기 비휘발성 플립플롭은 상기 강유전체 트랜지스터의 상태 변화를 이용하여 별도의 백업 모드 없이 일반 모드, 대기 모드, 리스토어 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
3 3
제2항에 있어서,상기 비휘발성 저장소자는 복수의 강유전체 트랜지스터를 포함하며,상기 복수의 강유전체 트랜지스터는 서로 반대의 상태를 갖고, 상기 상태는 저저항 상태(Low Resistance State, LRS) 또는 고저항 상태(High Resistance State, HRS)를 나타내는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
4 4
제3항에 있어서,상기 비휘발성 저장소자는 상기 감지증폭기에 연결되며,상기 비휘발성 저장소자는,상기 세트 바 신호가 출력되는 노드 및 상기 리셋 바가 출력되는 노드에 연결된 제1 유형의 제1 강유전체 트랜지스터 및 제1 유형의 제2 강유전체 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 유형의 제1 강유전체 트랜지스터의 제1 단자는 상기 세트 바 신호가 출력되는 노드에 연결되고,상기 제1 유형의 제1 강유전체 트랜지스터의 제어 단자는 상기 리셋 바 신호가 출력되는 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
6 6
제4항에 있어서,상기 제1 유형의 제2 강유전체 트랜지스터의 제1 단자는 상기 리셋 바 신호가 출력되는 노드에 연결되고,상기 제1 유형의 제2 강유전체 트랜지스터의 제어 단자는 상기 세트 바 신호가 출력되는 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
7 7
제4항에 있어서,상기 비휘발성 저장소자는,상기 제1 유형의 제1 강유전체 트랜지스터에 연결되며 리스토어 신호에 의해 제어되는 제1 유형의 제1 추가 트랜지스터를 포함하고,상기 제1 유형의 제2 강유전체 트랜지스터에 연결되며 상기 리스토어 신호에 의해 제어되는 제1 유형의 제2 추가 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
8 8
제7항에 있어서,상기 비휘발성 저장소자는,상기 데이터 입력 신호에 의해 제어되는 트랜지스터에 연결되며 일반 모드 신호에 의해 제어되는 제1 유형의 제3 추가 트랜지스터를 포함하고,상기 데이터 바 입력 신호에 의해 제어되는 트랜지스터에 연결되며 상기 일반 모드 신호에 의해 제어되는 제1 유형의 제4 추가 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 유형의 제1 추가 트랜지스터의 제1 단자는 상기 제1 유형의 제1 강유전체 트랜지스터에 연결되고, 상기 제1 유형의 제1 추가 트랜지스터의 제2 단자는 상기 제1 유형의 제3 추가 트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
10 10
제8항에 있어서,상기 제1 유형의 제2 추가 트랜지스터의 제1 단자는 상기 제1 유형의 제2 강유전체 트랜지스터에 연결되고, 상기 제1 유형의 제2 추가 트랜지스터의 제2 단자는 상기 제1 유형의 제4 추가 트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
11 11
제8항에 있어서,상기 제1 유형의 제3 추가 트랜지스터의 제1 단자는 상기 데이터 입력 신호에 의해 제어되는 트랜지스터에 연결되고, 상기 제1 유형의 제4 추가 트랜지스터의 제1 단자는 상기 데이터 바 입력 신호에 의해 제어되는 트랜지스터에 연결되고, 상기 제1 유형의 제3 추가 트랜지스터의 제2 단자 및 상기 제1 유형의 제4 추가 트랜지스터의 제2 단자는 클록 신호에 의해 제어되는 트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
12 12
제7항에 있어서,상기 리스토어 신호에 의해 활성화되는 리스토어 모드는 구동 전압의 상승 시간 및 하나의 클록 사이클을 소요하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
13 13
제3항에 있어서,상기 비휘발성 저장소자는 상기 래치에 연결되며,상기 비휘발성 저장소자는,상기 데이터 출력 신호가 출력되는 노드 및 상기 데이터 바 출력 신호가 출력되는 노드에 연결된 제2 유형의 제1 강유전체 트랜지스터 및 제2 유형의 제2 강유전체 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
14 14
제13항에 있어서,상기 제2 유형의 제1 강유전체 트랜지스터의 제1 단자는 상기 데이터 출력 신호가 출력되는 노드에 연결되고,상기 제2 유형의 제1 강유전체 트랜지스터의 제어 단자는 상기 데이터 바 출력 신호가 출력되는 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
15 15
제13항에 있어서,상기 제2 유형의 제2 강유전체 트랜지스터의 제1 단자는 상기 데이터 바 출력 신호가 출력되는 노드에 연결되고,상기 제2 유형의 제2 강유전체 트랜지스터의 제어 단자는 상기 데이터 출력 신호가 출력되는 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
16 16
제13항에 있어서,상기 비휘발성 저장소자는,상기 제2 유형의 제1 강유전체 트랜지스터에 연결되며 리스토어 신호에 의해 제어되는 제2 유형의 제1 추가 트랜지스터를 포함하고,상기 제2 유형의 제2 강유전체 트랜지스터에 연결되며 상기 리스토어 신호에 의해 제어되는 제2 유형의 제2 추가 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
17 17
제16항에 있어서,상기 리스토어 신호에 의해 활성화되는 리스토어 모드는 구동 전압의 상승 시간을 소요하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 신소자핵심선도기술 전기 다이폴 스위칭이 가능한 소재, 3단자 소자 및 아키텍처 연구