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플래시 메모리를 이용한 가우시안 오류 데이터 생성 방법 및 이를 이용한 장치

  • 기술번호 : KST2022023614
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 메모리를 이용한 가우시안 오류 데이터 생성 방법 및 이를 이용한 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 가우시안 오류 데이터 생성 방법은 가우시안 오류 데이터 생성 요청을 수신하고, 플래시 메모리에 동작 명령을 전달하는 단계; 상기 플래시 메모리에서 상기 동작 명령을 수행함에 따라 발생하는 문턱 전압을 기반으로 가우시안 에러 잡음을 생성하는 단계; 및 상기 가우시안 에러 잡음에 상응하게 가우시안 오류 데이터를 생성하여 제공하는 단계를 포함한다.
Int. CL H04L 9/08 (2006.01.01) G11C 16/14 (2006.01.01) G11C 16/26 (2006.01.01) H01L 27/11521 (2017.01.01) G06F 7/58 (2006.01.01)
CPC H04L 9/0861(2013.01) H04L 9/0852(2013.01) G11C 16/14(2013.01) G11C 16/26(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) G06F 7/58(2013.01)
출원번호/일자 1020210064648 (2021.05.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0158115 (2022.11.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김문석 대전광역시 유성구
2 이봉수 대전광역시 유성구
3 강준기 대전광역시 유성구
4 김기홍 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 (유)한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2021-0578807-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.11.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
가우시안 오류 데이터 생성 요청을 수신하고, 플래시 메모리에 동작 명령을 전달하는 단계;상기 플래시 메모리에서 상기 동작 명령을 수행함에 따라 발생하는 문턱 전압을 기반으로 가우시안 에러 잡음을 생성하는 단계; 및상기 가우시안 에러 잡음에 상응하게 가우시안 오류 데이터를 생성하여 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 가우시안 에러 잡음은상기 문턱 전압을 기반으로 측정되는 가우시안 분포 저항에 상응하게 생성되는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 문턱 전압은플래시 메모리 단위 소자에서 읽기 명령을 수행할 때 발생하는 전압에 상응하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 가우시안 분포 저항은상기 플래시 메모리가 상기 동작 명령에 따라 읽기, 쓰기 및 지우기를 반복적으로 수행하는 동안에 발생하는 상기 문턱 전압을 기반으로 측정되는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 가우시안 오류 데이터는양자 후 암호(POST QUANTUM CRYPTOGRAPHY, PQC) 기술인 격자 기반 암호 구현을 위한 의도적 에러 정보에 상응하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
6 6
청구항 2에 있어서,상기 플래시 메모리는 터널링 절연체(TUNNELING OXIDE), 전하 저장층(CHARGE TRAPPING LAYER) 및 터널링 방지 절연체(TUNNELING BLOCKING OXIDE)로 구성되는 게이트(GATE)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 가우시안 분포 저항은상기 게이트에서 상기 문턱 전압에 의해 발생하는 터널링(TUNNELING) 현상의 물리적 특성에 상응하게 측정되는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
8 8
청구항 6에 있어서,상기 전하 저장층의 전자 밀도가 높을수록 상기 문턱 전압이 높아지는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 방법
9 9
가우시안 오류 데이터 생성 요청을 수신하고, 플래시 메모리에 동작 명령을 전달하고, 상기 플래시 메모리에서 상기 동작 명령을 수행함에 따라 발생하는 문턱 전압을 기반으로 가우시안 에러 잡음을 생성하고, 상기 가우시안 에러 잡음에 상응하게 가우시안 오류 데이터를 생성하여 제공하는 프로세서; 및상기 가우시안 오류 데이터를 저장하는 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
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청구항 9에 있어서,상기 가우시안 에러 잡음은상기 문턱 전압을 기반으로 측정되는 가우시안 분포 저항에 상응하게 생성되는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
11 11
청구항 9에 있어서,상기 문턱 전압은플래시 메모리 단위 소자에서 읽기 명령을 수행할 때 발생하는 전압에 상응하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
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청구항 11에 있어서,상기 가우시안 분포 저항은상기 플래시 메모리가 상기 동작 명령에 따라 읽기, 쓰기 및 지우기를 반복적으로 수행하는 동안에 발생하는 상기 문턱 전압을 기반으로 측정되는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
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청구항 9에 있어서,상기 가우시안 오류 데이터는양자 후 암호(POST QUANTUM CRYPTOGRAPHY, PQC) 기술인 격자 기반 암호 구현을 위한 의도적 에러 정보에 상응하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
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청구항 10에 있어서,상기 플래시 메모리는 터널링 절연체(TUNNELING OXIDE), 전하 저장층(CHARGE TRAPPING LAYER) 및 터널링 방지 절연체(TUNNELING BLOCKING OXIDE)로 구성되는 게이트(GATE)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
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청구항 14에 있어서,상기 가우시안 분포 저항은상기 게이트에서 상기 문턱 전압에 의해 발생하는 터널링(TUNNELING) 현상의 물리적 특성에 상응하게 측정되는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
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청구항 14에 있어서,상기 전하 저장층의 전자 밀도가 높을수록 상기 문턱 전압이 높아지는 것을 특징으로 하는 가우시안 오류 데이터 생성 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.