| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 배치되는 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층;상기 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층 상에 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층 상에 배치되되, 반데르발스 결합을 기반으로 한 층상 구조와 1
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층과 상기 강유전성 반도체층 사이에 배치되되, 인듐 옥사이드(InOx) 및 비스무스 옥사이드 중 어느 하나의 물질을 포함하는 중간층;을 더 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,스탬프 공정을 통해 상기 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층의 상면에 접하도록 배치되어, 상기 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층과 이종접합 구조를 이루는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,알파-인듐 셀레나이드(α- In2Se3) 및 비스무스 옥시셀레나이드(Bi2OSe2) 중 선택되는 어느 하나의 물질을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,1
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 중간층은,스탬프 공정을 통한 상기 강유전성 반도체층의 형성 시, 자연산화 반응에 따라 1 내지 5 nm 범위의 두께로 생성되는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 게이트 전극에 제 1 펄스 전압을 인가하고, 상기 제 1 펄스 전압을 통해 상기 전계 효과 트랜지스터 소자의 문턱 전압 변조를 제어함으로써, 공핍모드(D-mode)에서 향상모드(E-mode)로의 모드 스위칭을 유도하는 펄스 인가부;를 더 포함하는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 기판에 배치되되, 상기 베타-갈륨 산화물(β-Ga2O3) 채널층에 전계를 형성하도록 구성되는 하부 게이트 전극을 더 포함하고,상기 펄스 인가부는,상기 게이트 전극에 제 1 펄스 전압이 인가된 상태에서, 상기 하부 게이트 전극에 고정 전압을 인가하고, 상기 고정 전압을 통해 상기 전계 효과 트랜지스터 소자의 문턱 전압 변조를 강화함으로써, 상기 향상모드(E-mode)의 강화를 유도하는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,상기 제 1 펄스 전압에 의해 상기 강유전성 반도체층 내의 분극 바운드 전하의 정렬 방향이 제어됨으로써, 에너지 밴드 오프셋에 의한 전하 밀도의 고갈 효과를 유도하는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 펄스 전압에 의해 상기 강유전성 반도체층 내 분극 바운드 전하와 모바일 전하가 상기 중간층을 향하는 방향으로 정렬되고, 상기 중간층은 상기 모바일 전하를 포획하는 전하 트래핑 사이트의 역할을 하여 상기 전하 밀도의 고갈효과를 강화시키는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층과 상기 절연층은 반도체/절연체 메사구조를 이루되,상기 반도체/절연체 메사구조는,상기 반도체/절연체 메사구조의 측면과 상기 드레인 전극 간의 거리가 상기 게이트 전극의 측면과 상기 드레인 전극 간의 거리와 동일하도록 형성되는 전계 효과 트랜지스터 소자
|
