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불소를 포함하지 않는 텅스텐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2022023769
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 텅스텐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 텅스텐 함유 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 텅스텐 화합물은 열적으로 매우 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 텅스텐 함유 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL C07F 11/00 (2006.01.01) C23C 16/18 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC C07F 11/00(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/45553(2013.01)
출원번호/일자 1020210075886 (2021.06.11)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0166960 (2022.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.06.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박보근 대전광역시 유성구
2 박다애 대전광역시 유성구
3 정택모 대전광역시 유성구
4 류지연 대전광역시 유성구
5 손지영 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2021-0674806-75
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2022.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2022-0627540-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물
2 2
제 1항에 있어서, 상기 X는 Br 또는 Cl인, 텅스텐 화합물
3 3
제 1항에 있어서,상기 R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C7알킬이고;A는 C2-C5알킬렌이고, 상기 알킬렌은 C1-C7알킬로 더 치환될 수 있는, 텅스텐 화합물
4 4
제 3항에 있어서,상기 텅스텐 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것인, 텅스텐 화합물:[화학식 2]상기 화학식 2에서,R1 내지 R7 및 R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C4알킬이고;X1는 Br 또는 Cl이다
5 5
제 4항에 있어서,상기 R1 내지 R7 및 R11 내지 R14는 중 적어도 하나는 C1-C4알킬이고, 나머지는 수소 또는 C1-C4알킬인, 텅스텐 화합물
6 6
제 5항에 있어서,상기 R1 및 R3는 각각 독립적으로 C1-C4알킬이고;R2, R4 내지 R7 및 R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C4알킬이고;X1는 Br인, 텅스텐 화합물
7 7
제 4항에 있어서,상기 R1 및 R3는 각각 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이고;R2 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이고;R5 내지 R7 및 R11 내지 R14는 각각 독립적으로 각각 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸인, 텅스텐 화합물
8 8
제 1항에 있어서,하기 구조에서 선택되는 것인, 텅스텐 화합물:
9 9
하기 화학식 3의 화합물과 하기 화학식 4의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1의 텅스텐 화합물을 제조하는 방법
10 10
제 1항 내지 제 8항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 텅스텐 화합물을 이용하여 텅스텐 함유 박막을 제조하는 방법
11 11
제 10항에 있어서,화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법에 의하여 수행되는 것인, 텅스텐 함유 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국화학연구원 한국화학연구원연구운영비지원(R&D) IoT 디바이스용 화학소재 기술
2 산업통상자원부 한솔케미칼전주공장 소재부품기술개발(R&D) High-k/metal gate 공정용 박막내 carbon/halogen-free precursor 및 공정부품 개발