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맥신의 층간에 침투하여 브릿지를 형성하는 금속 클러스터를 포함하고, 상기 맥신은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 금속이 침투된 맥신 복합체
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제1항에 있어서,상기 브릿지는 상기 금속 클러스터가 상기 맥신의 일층 및 상기 일층에 대향하는 층 모두에 대하여, 적어도 하나 이상의 M 또는 적어도 하나 이상의 X와 공유결합을 형성하여 형성된, 금속이 침투된 맥신 복합체
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제1항에 있어서,상기 금속 클러스터는 입자 크기가 1 내지 10 ㎚ 인, 금속이 침투된 맥신 복합체
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제1항에 있어서,상기 금속 클러스터의 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 레늄(Re), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os) 및 알루미늄(Al) 또는 이들의 둘 이상의 조합인, 금속이 침투된 맥신 복합체금속 클러스터의 금속은 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 또는 이들의 둘 이상의 조합인, 금속이 침투된 맥신 복합체
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제1항에 있어서,상기 맥신은 Ti3C2인, 금속이 침투된 맥신 복합체
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제1항에 있어서, 상기 금속이 침투된 맥신 복합체는 맥신의 면 방향(In-plane)으로의 전기전도도가 금속이 비침투된 순수 맥신에 대하여 1
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제1항에 있어서, 상기 금속이 침투된 맥신 복합체는 맥신의 면 방향에 대해 수직 방향(Cross-plane)으로의 전기전도도가 금속이 비침투된 순수 맥신에 대하여 2
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8
제1항에 있어서,상기 금속이 침투된 맥신 복합체는 맥신의 면 방향(In-plane)으로의 열전도도가 금속이 비침투된 순수 맥신에 대하여 1
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9
제1항에 있어서,상기 금속이 침투된 맥신 복합체는 맥신의 면 방향에 대해 수직 방향(Cross-plane)으로의 열전도도가 금속이 비침투된 순수 맥신에 대하여 1
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10
제1항에 있어서,상기 금속이 침투된 맥신 복합체는 금속이 비침투된 순수 맥신에 대하여 영률(Young's modulus)의 증가율이 30 % 이상인, 금속이 침투된 맥신 복합체
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제1항에 있어서,상기 금속이 침투된 맥신 복합체는 금속이 비침투된 순수 맥신에 대하여 인장강도의 증가율이 5 % 이상인, 금속이 침투된 맥신 복합체
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12
하기 화학식 1로 표시되는 맥신 필름을 준비하는 단계; 및상기 맥신 필름을 화학 기상처리를 통하여, 금속 클러스터가 상기 맥신 필름의 층간에 침투하여 브릿지를 형성한 금속이 침투된 맥신을 제조하는 단계; 를 포함하는 금속이 침투된 맥신 복합체의 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 화학 기상처리는, 상기 금속 전구체와 산소 분위기를 포함하는 조건에서 증기상 침투(VPI)법으로 수행되는 것인, 금속이 침투된 맥신 복합체의 제조방법
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14
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 금속이 침투된 맥신 복합체를 포함하는 열전 복합체
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제14항의 열전 복합체; 및상기 열전 복합체의 양측에 각각 전기적으로 연결된 제1전극과 제2전극;을 포함하는 열전 소자
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제15항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극에 전기적으로 연결된 전자 장치를 더 포함하는 열전 소자
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제16항에 있어서,상기 전자 장치는 전기 소모 장치, 전기 저장 장치 또는 전기 공급 장치인, 열전 소자
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