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양극집전체; 및상기 양극집전체 상에 배치되며, 일면 및 상기 일면에 대향하며 상기 양극집전체에 인접하게 배치되는 타면을 포함하는 양극활물질층;을 포함하며,상기 양극활물질층이, 상기 일면으로부터 상기 타면 방향으로 연장되는 채널 구조를 가지며,상기 채널 구조를 구성하는 하나 이상의 채널의 표면을 따라 배치되는 전도성 금속층(conductive metal layer)을 포함하는, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 금속층의 두께가 1 nm 내지 50 nm인, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 금속층이 상기 채널의 표면을 따라 상기 양극활물질층의 일면까지 연장되며, 상기 양극활물질층의 일면 상에 배치되는, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 양극활물질층 일면의 전체 면적에 대하여 상기 전도성 금속층이 배치되는 면적이 1% 이상 99% 이하인, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 양극활물질층의 일면 상에 배치되는 전도성 금속층의 두께(T1)에 대한 상기 채널의 표면 상에 배치되는 전도성 금속층의 두께(T2)의 비율(T2/T1)이 0
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 금속층이 루테늄(Ru), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 인듐(In), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 스테인레스스틸, 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 또는 이들의 합금을 포함하는, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 채널 구조가 상기 양극활물질층의 상기 일면으로부터 상기 타면까지 연장되는 관통구(through-hole)를 포함하는, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 양극활물질층 일면의 전체 면적에 대하여 상기 하나 이상의 채널이 차지하는 면적이 1% 이상 15% 이하이며, 상기 채널의 직경이 10 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하인, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 금속층 상에 배치되는 금속 산화물층을 더 포함하는, 양극
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제9 항에 있어서, 상기 양극활물질층의 일면 상에 배치되는 전도성 금속층의 전체 면적에 대하여 상기 금속 산화물층이 배치되는 면적이 1% 이상 100% 이하인, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 금속 산화물층이, 루테늄(Ru), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 인듐(In), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 스테인레스스틸, 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속의 산화물을 포함하는, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 금속층 상에 배치되는 석출층을 더 포함하며, 상기 석출층이 이온전도성을 가지는, 양극
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제1 항에 있어서, 상기 양극활물질층이 4
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제1 항에 있어서, 상기 양극활물질층이 상기 일면으로부터 상기 타면 방향으로 적층되도록 배치되는 하나 이상의 양극활물질층 구조체를 포함하며,상기 하나 이상의 양극활물질층 구조체 각각은,제1 양극활물질층 및 상기 제1 양극활물질층 상에 상기 방향을 따라 적층되도록 배치되는 제2 양극활물질층을 포함하며,상기 제1 양극활물질층은 상기 방향을 따라 연장되는 하나 이상의 제1 관통구를 포함하며,상기 제2 양극활물질층은 상기 방향을 따라 연장되는 하나 이상의 제2 관통구를 포함하는, 양극
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제14 항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 관통구와 상기 하나 이상의 제2 관통구 중 하나 이상이 상기 일 방향을 따라 정렬되도록 배치되거나 일 방향을 따라 어긋나게 배치되는, 양극
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제14 항에 있어서, 상기 제1 양극활물질은 제1 기공율을 가지며, 상기 제2 양극활물질층은 제2 기공율을 가지며,상기 제1 기공율은 상기 제2 기공율보다 높은, 양극
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제14 항에 있어서, 상기 제1 양극활물질층 및 상기 제2 양극활물질층은 소결층이며 바인더 부재층인, 양극
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제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항에 따른 양극; 음극;상기 양극과 음극 사이에 배치된 세퍼레이터; 및상기 세퍼레이터에 함침된 액체 전해질을 포함하는, 전기화학 전지
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일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 가지며, 상기 일면으로부터 상기 타면 방향으로 연장되는 채널 구조를 가지는 양극활물질층을 제공하는 단계; 및상기 채널 구조를 구성하는 하나 이상의 채널의 표면을 따라 전도성 금속층을 배치하는 단계;를 포함하는 양극 제조방법
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제19 항에서 상기 전도성 금속층이 원자층증착(ALD, atomic Layer Deposition)에 의하여 배치되는, 양극 제조방법
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