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폴리디메틸실록산(PDMS) 패터닝 방법에 있어서,보조기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴 상에 PDMS를 도포하여 PDMS층을 형성하는 단계;상기 PDMS층의 일부를 제거하여 상기 포토레지스트 패턴의 상면을 노출시키는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 상기 포토레지스트 패턴에 상응하는 PDMS 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 1에 있어서,상기 포토레지스트 패턴의 상면을 노출시키는 단계에서, ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching) 및 CCP-RIE(Capacitively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching) 중 적어도 하나의 방법으로 상기 PDMS층의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는, 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 2에 있어서,RIE 방법을 이용하여 상기 PDMS층의 일부를 제거하는 경우, PDMS층을 식각하는 과정에서 플루오린을 포함하는 가스, 플루오린화 탄소 계열 가스, Ar 또는 Ne를 포함하는 비활성 가스 및 O2 가스 중 하나 이상을 포함하는 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 1에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 제거되고 잔류된 상기 PDMS 패턴 상에 추가의 PDMS층을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 4에 있어서,상기 PDMS 패턴과 상기 추가의 PDMS층은 강성 또는 영률이 서로 다른 PDMS 인 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 1에 있어서,상기 PDMS 패턴을 상기 보조기판으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 5에 있어서,상기 보조기판에는 상기 PDMS 패턴과 상기 보조기판(Substrate)의 분리를 용이하게 하기 위한 표면처리층 또는 희생층이 형성된 것을 특징으로 하는, 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 7에 있어서,상기 표면처리층 또는 희생층이 형성된 보조기판 상에 포토리소그래피 공정으로 PR 마스크를 형성하는 단계; 및상기 PR 마스크 상에 전자빔증착법 또는 스퍼터링을 포함하는 물리적 기상 증착법에 의해 금속막을 증착한 후 리프트오프 공정을 통해 PR 마스크를 제거하여 잔류된 금속막으로서 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 8에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 형성되는 단계에서,상기 전극이 형성된 보조기판 상에 포토레지스트층을 형성하고, 상기 전극에 대한 정렬(Alignment) 과정을 포함하는 식각공정에 의해 상기 포토레지스트층을 식각하여 상기 전극의 적어도 일부가 노출되도록 상기 포토레지스트 패턴이 형성되며,상기 보조기판 분리시에 상기 전극이 상기 PDMS 패턴에 전사되는 것을 특징으로 하는 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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청구항 1에 있어서,상기 PDMS층을 형성하는 단계는, [-Si(CH3)2O2-]n의 화학식을 가지는 사슬 구조의 실리콘계 고분자인 PDMS를, 상기 포토레지스트 패턴 상에 직접 도포하거나, 톨루엔(Toluene) 또는 헥산(Hexane) 용매에 희석하여 상기 포토레지스트 패턴 상에 도포하는 단계;도포된 후 상온의 평평한 곳에서 1분 이상 유지시켜 PDMS층이 평탄화된 표면을 가질 수 있도록 하는 셀프 레벨링 단계; 및상온 내지 150 ℃의 온도에서 상기 PDMS를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리디메틸실록산 패터닝 방법
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