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a) 전극의 X-선 회절 패턴(X-ray diffraction pattern)을 측정하는 단계; b) 상기 패턴에 대해 데이터 프로세싱하여 상기 전극 내 전극 활물질의 피크 반치전폭 (full width at half maximum, FWHM) 값을 구하는 단계; 및c) 하기 계산식 1에 따라 상기 전극 활물질의 깨짐율을 계산하는 단계를 포함하는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법: [계산식 1]전극 활물질의 깨짐율 (%)= (1-A/B)*100%(상기 계산식 1에서, A는 전기화학 반응 수행 이전 전극의 X-선 회절 패턴 측정 및 데이터 프로세싱에 의해 얻어진 전극 활물질의 피크 반치전폭 값이며, B는 전기화학 반응 수행 이후 얻어진 전극 활물질의 피크 반치전폭 값이다
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제1항에 있어서, 상기 전극을 제조하는 단계를 더 포함하는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법:s1) 전극 활물질 및 바인더를 포함하는 전극 슬러리를 준비하는 단계; 및 s2) 상기 전극 슬러리를 집전체 상에 도포하여 전극 활물질층을 형성하는 단계
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제2항에 있어서, 상기 a) 단계는 상기 전극 활물질층 표면에 대한 X-선 회절 분석에 의해 수행되는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법
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제3항에 있어서, 상기 X-선 회절 분석 시 전처리를 수행하지 않는 것을 특징으로 하는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법
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제2항에 있어서, 상기 전극 활물질층의 평균 두께는 1 내지 500 ㎛인, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법
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제1항에 있어서, 상기 전극 활물질은 결정성 입자를 포함하는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법
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제1항에 있어서, 상기 전극 활물질의 평균 입자크기는 0
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제1항에 있어서, 상기 전극의 밀도는 0
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제1항에 있어서, 상기 전기화학 반응은 상기 전극을 포함하는 이차전지를 3 내지 4
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계 수행 전, 상기 전극을 특정 깊이까지 절삭하는 단계를 더 포함하는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법
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제10항에 있어서, 상기 a) 단계는 상기 절삭에 의해 노출된 전극 활물질층 표면에 대한 X-선 회절 분석에 의해 수행되는, 이차전지용 전극 활물질의 깨짐율 분석방법
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