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(a) 원료물질인 Cu, Sb 및 Se에 도핑원소 분말 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)을 혼합하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 혼합된 분말을 기계적으로 합금화하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계를 통해 합금화된 분말을 열간압축(Hot Pressing)하는 단계를 포함하는, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)이 도핑된 퍼밍기어타이트 열전재료 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도핑원소가 알루미늄(Al)인 경우 (a) 단계에서 Cu, Sb, Se 및 Al 분말은 Cu3Sb1-yAlySe4(0 003c# y 003c# 1)의 화학양론 조성에 따라 혼합하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)이 도핑된 퍼밍기어타이트 열전재료 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도핑원소가 인듐(In)인 경우 (a) 단계에서 Cu, Sb, Se 및 In 분말은 Cu3Sb1-yInySe4(0 003c# y 003c# 1)의 화학양론 조성에 따라 혼합하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)이 도핑된 퍼밍기어타이트 열전재료 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도핑원소가 알루미늄(Al)인 경우 (a) 단계에서 Cu, Sb, Se 및 Al 분말은 Cu3Sb1-yAlySe4(y=0
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제1항에 있어서,상기 도핑원소가 인듐(In)인 경우 (a) 단계에서 Cu, Sb, Se 및 In 분말은 Cu3Sb1-yInySe4(y=0
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 (a) 단계에서 혼합된 분말을 200 rpm 내지 600 rpm으로 1 시간 내지 48 시간 동안 볼 밀링하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)이 도핑된 퍼밍기어타이트 열전재료 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 열간압축은 400~800K의 온도범위와 10~200MPa의 압력범위에서 1~3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)이 도핑된 퍼밍기어타이트 열전재료 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 알루미늄(Al) 또는 인듐(In)이 도핑된 퍼밍기어타이트 열전재료 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열전재료의 조성이 Cu3Sb0
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제9항에 있어서,상기 열전재료가 500 ~ 650K의 온도에서 0
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