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저마늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 및 M을 포함하고,상기 M은 갈륨(Ga) 및 안티몬(Sb) 중 적어도 갈륨을 포함하고,총 원소에 대하여,상기 텔루륨 원소의 함량은 50 at% 이상 80 at% 이하인 칼코지나이드 유리 조성물
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제1항에 있어서,총 원소에 대하여, 상기 M의 함량은 0 at% 초과 10 at% 이하인 칼코지나이드 유리 조성물
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제1항에 있어서,총 원소에 대하여, 상기 저마늄 원소의 함량은 15 at% 이상 30 at% 이하인 것인 칼코지나이드 유리 조성물
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제1항에 있어서,총 원소에 대하여, 상기 셀레늄 원소의 함량은 0 at% 초과 20 at% 이하인 것인 칼코지나이드 유리 조성물
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제1항에 있어서,상기 M과 상기 저마늄 원소의 함량비는 1:1
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제1항에 있어서,상기 M과 상기 텔루륨 원소의 함량비는 1:5 내지 1:80인 것인 칼코지나이드 유리 조성물
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제1항에 있어서,상기 M은 갈륨 및 안티몬을 포함하고,총 원소에 대하여, 상기 갈륨 원소의 함량은 0 at% 초과 4 at% 이하이고, 상기 안티몬 원소의 함량은 0 at% 초과 6 at% 이하인 것인 칼코지나이드 유리 조성물
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8 |
8
제1항에 있어서,상기 유리 조성물은 10 ㎛ 파장에서 굴절률이 3
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제1항에 따른 칼코지나이드 유리 조성물의 성형물을 포함하는 렌즈
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10
제9항에 있어서,상기 성형물은 상기 칼코지나이드 유리 조성물이 직가공, 몰딩 공정, 웨이퍼레벨 몰딩 공정 또는 웨이퍼레벨 임프린팅 공정으로 형성되는 것인 렌즈
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