| 1 |
1
표면에 요철이 형성된 기재를 제공하는 단계;상기 요철이 형성된 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계;노광 위치를 설정하고, 상기 설정된 위치에서 선택적으로 최상층의 상기 표면제어층을 노광시키는 단계;현상 또는 식각 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 복수개의 제어패턴을 형성시키는 단계;상기 제어패턴은 하측으로 갈수록 확장컷(Extension-cut)을 이루되, 상기 요철에 의존되어 최상층의 상기 제어패턴에 대해 대칭 또는 비대칭적 확장컷으로 형성하는 단계;상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 식각마스크로 하여 상기 요철이 형성된 기재의 일부에 1차식각패턴을 형성하는 단계;최상층에서부터 순차적으로 상기 표면제어층을 제거하면서, 잔존 표면제어층을 식각마스크로 하여 상기 요철이 형성된 기재의 일부에 상기 1차식각패턴과 서로 다른 형상의 식각패턴을 중첩형성한 표면 제어 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법은,표면에 요철이 형성된 기재를 제공하는 제1단계;상기 요철이 형성된 기재 상부에 제1표면제어층을 형성하는 제2단계;상기 제1표면제어층 상부에 상기 제1표면제어층에 대해 상대적으로 높은 식각저항성을 갖는 제2표면제어층을 형성하는 제3단계;노광 위치를 설정하고, 상기 설정된 위치에서 선택적으로 제2표면제어층을 노광시키는 제4단계;현상 또는 식각 공정에 의해 상기 제2표면제어층에 제1제어패턴 및 제1표면제어층에 제2제어패턴을 형성하는 제5단계;상기 제2표면제어층의 제1제어패턴에 연속 또는 순차적으로 상기 제1표면제어층에 형성되며, 상기 제1제어패턴에 대해 확장컷(Extension-cut)을 이루되, 상기 기재의 요철 구조에 의존되어 제1제어패턴에 대해 대칭 또는 비대칭적 확장컷을 이루는 제6단계;상기 제1표면제어층의 제2제어패턴의 대칭 또는 비대칭적 확장컷에 의해 상기 요철이 형성된 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 제7단계;상기 제1제어패턴이 형성된 제2표면제어층 및 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 식각 마스크로 하여, 상기 요철이 형성된 기재의 표면 제어 영역에 1차식각패턴을 형성하는 제8단계;상기 제2표면제어층을 제거하고, 상기 제2제어패턴이 형성된 제1표면제어층을 식각 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 상기 1차식각패턴에 중첩적으로 2차식각패턴을 형성하는 제9단계;를 포함하여,상기 요철이 형성된 기재의 표면 제어 영역에 상기 1차식각패턴 및 2차식각패턴을 포함하는 표면 제어 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서, 상기 제1표면제어층과 제2표면제어층의 식각저항성비는 1:1
|
| 4 |
4
제 2항에 있어서, 상기 제4단계의 노광 위치는,상기 요철의 형상, 크기, 깊이, 높이, 위치 및 배열 중 어느 하나 이상의 요철 구조를 고려하여 설정하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서, 상기 노광 위치는,상기 요철의 형상, 크기, 깊이, 높이, 위치 및 배열 중 어느 하나 이상의 요철 구조를 고려하여 설정할 때 상기 요철 구조에 대해 대칭 또는 비대칭 지점에서 설정되는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서, 상기 비대칭 지점에서 설정되는 노광 위치는,상기 요철 구조에 대해 상기 대칭 지점에서 떨어질수록 상기 확장컷의 비대칭도가 증가하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 7 |
7
제 2항에 있어서, 상기 제6단계는,상기 제5단계의 노광 공정에 따른 현상 공정을 수행하고, 이에 연속적 또는 순차적으로 추가적인 현상 공정을 수행하여 상기 제2제어패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 8 |
8
제 2항에 있어서, 상기 제6단계는,상기 현상 공정 후 또는 추가적인 현상 공정 후, 상기 제1표면제어층을 건식 식각 또는 습식 식각하여 상기 확장컷을 더욱 확장시킨 제2제어패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 9 |
9
제 2항에 있어서, 상기 제1표면제어층의 제2제어패턴은,상기 제2표면제어층의 제1제어패턴의 배열 형태에 따라 배열 형태가 결정되거나,또는 상기 제2표면제어층의 제1제어패턴 간 거리에 의해 패턴의 형상이 조절되는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 10 |
10
제 2항에 있어서, 상기 제7단계는,상기 제4단계의 확장컷을 이루는 제2제어패턴의 면적 변화를 통하여 상기 표면 제어 영역의 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 11 |
11
제 2항에 있어서, 상기 제8단계는, 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정과 같은 단일 식각 공정을 수행하거나,건식 식각 공정 후 습식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 후 건식 식각 공정과 같은 복합 식각 공정 중 어느 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 12 |
12
제 2항에 있어서, 상기 제9단계는,상기 제2표면제어층을 제거하고,건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정과 같은 단일 식각 공정을 수행하거나,건식 식각 공정 후 습식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 후 건식 식각 공정과 같은 복합 식각 공정 중 어느 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 13 |
13
제 2항에 있어서, 상기 표면 제어 패턴을 형성한 이후에는,잔존하는 표면제어층을 제거하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 14 |
14
제 2항에 있어서, 상기 표면 제어 영역 또는 표면 제어 패턴 상에,특성제어층을 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 15 |
15
제 14항에 있어서, 상기 특성제어층은,상기 기재와는 굴절률이 다른 물질을 단층 또는 다층으로 증착하여, 굴절률을 제어하는 굴절률 제어층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 16 |
16
제 15항에 있어서, 상기 굴절률 제어층이 다층으로 증착되는 경우, 상기 기재에서부터 굴절률이 높은 물질부터 낮은 물질로 증착되거나, 상기 기재에서부터 굴절률이 낮은 물질부터 높은 물질로 증착되는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 17 |
17
제 15항에 있어서, 상기 굴절률 제어층은,금속, 금속산화물, 불화물, 인화물, 질화물 및 황화물 중 어느 하나 이상을 선택하여 박막으로 증착되는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 18 |
18
제 14항에 있어서, 상기 특성제어층은,상기 기재와는 표면 특성이 다른 특성제어 박막층을 단층 또는 다층으로 형성한 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 19 |
19
제 14항에 있어서, 상기 표면 제어 패턴 상에 상기 특성제어층을 형성한 경우에는 그 이후에,잔존하는 표면제어층을 제거하는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 20 |
20
제 1항에 있어서, 상기 기재는,광전소자의 최상부층에 형성된 n형 반도체층 또는 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 21 |
21
제 20항에 있어서, 상기 표면 제어 패턴은,상기 광전소자의 최상부층 또는 상기 최상부층과 상기 최상부층의 하부층 일부 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법
|
| 22 |
22
제 1항 내지 제 21항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 표면 제어 구조체를 적용한 것을 특징으로 하는 광전소자
|
| 23 |
23
표면에 요철이 형성된 기재;상기 요철이 형성된 기재 상에 형성되고, 제어패턴이 각각 형성된 복수개의 표면제어층에 의해 형성되며, 최상층의 상기 제어패턴에 대해 대칭 또는 비대칭적으로 형성된 표면 제어 영역;상기 요철이 형성된 기재 상의 표면 제어 영역에 형성되며, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 식각마스크로 하여 1차식각패턴이 형성되고, 상기 표면제어층을 순차적으로 제거하고, 잔존 표면제어층을 식각마스크로 하여 상기 요철이 형성된 기재의 일부에 상기 1차식각패턴과 서로 다른 형상의 식각패턴이 중첩되어 형성된 표면 제어 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 24 |
24
제 23항에 있어서, 상기 복수개의 표면제어층은,서로 식각저항성이 다른 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 25 |
25
제 23항에 있어서, 상기 대칭 또는 비대칭적으로 형성된 표면 제어 영역은,상기 요철의 형상, 크기, 깊이, 높이, 위치 및 배열 중 어느 하나 이상의 요철 구조에 따라 상기 최상층의 제어패턴에 대해 비대칭도가 조절되는 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 26 |
26
제 23항에 있어서, 상기 표면 제어 패턴은,건식 식각패턴 및 습식 식각패턴 중 어느 하나가 복수개로 중첩되어 형성되거나,또는 이들이 혼합되어 복수개가 중첩되어 형성된 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 27 |
27
제 23항에 있어서, 상기 표면 제어 영역 또는 표면 제어 패턴 상에,특성제어층이 형성된 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 28 |
28
제 27항에 있어서, 상기 특성제어층은,상기 기재와는 굴절률이 다른 물질을 단층 또는 다층으로 증착하여, 굴절률을 제어하는 굴절률 제어층으로 형성된 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 29 |
29
제 28항에 있어서, 상기 굴절률 제어층이 다층으로 증착된 경우, 상기 기재에서부터 굴절률이 높은 물질부터 낮은 물질로 증착되거나,상기 기재에서부터 굴절률이 낮은 물질부터 높은 물질로 증착되는 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 30 |
30
제 28항에 있어서, 상기 굴절률 제어층은,금속, 금속산화물, 불화물, 인화물, 질화물 및 황화물 중 어느 하나 이상을 선택하여 박막으로 증착된 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 31 |
31
제 23항에 있어서, 상기 기재는,광전소자의 최상부층에 형성된 n형 반도체층 또는 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 표면 제어 구조체
|
| 32 |
32
제 23항 내지 제 31항 중 어느 한 항의 표면 제어 구조체를 적용한 것을 특징으로 하는 광전소자
|
| 33 |
33
제 32항에 있어서, 상기 광전소자는,발광다이오드(Light Emitting Diode; LED), 마이크로 발광다이오드(Micro-LED), 태양전지(Solar cell), 레이저다이오드(Laser Diode; LD), 포토다이오드(Photo Diode; PD), 애벌런치 광 다이오드(Avalanche Photo Diode; APD) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광전소자
|
