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N형 드리프트층의 상면으로부터 내부를 향해 JFET 영역을 형성하는 단계;상기 JFET 영역의 상부에 절연된 게이트 및 상기 JFET 영역의 양측에 P형 베이스를 형성하는 단계;상기 P형 베이스의 상면으로부터 내부를 향해 N형 에미터 영역 및 P형 에미터 영역을 형성하는 단계; 및상기 N형 드리프트층의 하면에 제1 N형 버퍼층 및 제2 N형 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는, 900V 필드 스톱 IGBT 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 N형 드리프트층의 상면으로부터 내부를 향해 JFET 영역을 형성하는 단계는, 상기 N형 드리프트층의 상면상에 N형 불순물을 증착하는 단계;상기 N형 불순물을 상기 상기 N형 드리프트층 내부로 드라이브인 확산시키는 단계;상기 N형 드리프트층의 상면상에 N형 불순물을 제거하는 단계; 및상기 N형 드리프트층을 에칭하는 단계를 포함하는, 900V 필드 스톱 IGBT 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 JFET 영역의 상부에 절연된 게이트 및 상기 JFET 영역의 양측에 P형 베이스를 형성하는 단계에서, 상기 게이트는 상기 P형 베이스를 형성하기 위한 마스크인, 900V 필드 스톱 IGBT 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 N형 드리프트층의 하면에 제1 N형 버퍼층 및 제2 N형 버퍼층을 형성하는 단계는,N형 분순물을 상기 N형 드리프트층의 하면에 이온 주입하여 상기 제2 N형 버퍼층을 정의하는 단계;상기 N형 분순물을 상기 제2 N형 버퍼층과 상이한 이온 주입량으로 상기 N형 드리프트층의 하면에 이온 주입하여 상기 제2 N형 버퍼층의 하부에 상기 제1 N형 버퍼층을 정의하는 단계; 및정의된 제1 N형 버퍼층 및 제2 N형 버퍼층을 드라이브인 확산시키는 단계를 포함하는, 900V 필드 스톱 IGBT 제조방법
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청구항 4에 있어서, 상기 제1 N형 버퍼층의 이온 주입량은 상기 제2 N형 버퍼층의 이온 주입량보다 큰, 900V 필드 스톱 IGBT 제조방법
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