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페로브스카이트 전구체를 기재 상에서 액적(droplet)의 접촉각이 5 내지 13°인 유기용매 및 인핸서(enhancer)에 혼합하여 페로브스카이트 화합물 용액을 제조하는 단계; 및상기 기재 상에 상기 페로브스카이트 화합물 용액을 도포한 후 열처리하여 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서상기 페로브스카이트 화합물용액은 a) 상기 유기용매에 페로브스카이트 전구체를 용해시켜 페로브스카이트 전구체 용액을 준비하는 단계; 및b) 상기 페로브스카이트 전구체 용액에 인핸서(enhancer)를 혼합하여 페로브스카이트 화합물 용액을 제조하는 단계;를 포함하여 제조하는 것인 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 인핸서에 의해 열처리 전 상기 페로브스카이트 전구체를 포함하는 중간상(intermediate phase)이 형성되는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물 용액은 15 내지 40 wt%의 인핸서를 함유하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 b) 단계에서 아세틸콜린 할라이드를 더 첨가하여 페로브스카이트 화합물 용액을 제조하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물 용액은 0
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제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물은 아미디니움계 이온을 포함하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물은 유기 암모늄 이온을 더 포함하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리 온도는 80 내지 200℃인 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 열처리는 10 내지 60분 동안 수행되는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 기재는 기재 상에 전하전달체가 형성된 기재인 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 전하전달체가 형성된 기재에 표면처리 하는 단계를 더 포함하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 표면처리는 2 내지 7mM의 아세틸콜린(acetylcholine) 할라이드를 포함하는 용액을 상기 기재 상에 도포하여 수행되는 것인 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계 이 후, 형성된 페로브스카이트 박막 상에 부동태막을 형성시키는 단계를 더 포함하는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 부동태막은 2 내지 7mM의 아세틸콜린(acetylcholine) 할라이드를 포함하는 용액을 페로브스카이트 박막 상에 도포하여 형성되는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도포는 메니스커스 힘(meniscus force)을 기반으로 한 방식으로 수행되는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 방식은 바 코팅, 슬롯 다이 코팅 및 블레이드 코팅 방식에서 선택되는 하나인 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 도포에 이어 건조하는 단계가 바로 수행되는 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 대면적은 30cm2 이상의 면적인 대면적 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 따라 제조된 페로브스카이트 태양전지 대면적 모듈
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제 21항에 있어서,상기 대면적은 30cm2 이상 인 페로브스카이트 태양전지 대면적 모듈
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제 22항에 있어서,상기 페로브스카이트 태양전지 대면적 모듈의 광전변환효율(power conversion efficiency, PCE)은 18% 이상인 페로브스카이트 태양전지 대면적 모듈
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