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매치 라인(match line);서치 라인(search line); 비트 라인; 및 상기 매치 라인, 상기 서치 라인 및 상기 비트 라인에 각각 연결되어 어레이로 배열된 복수의 단위 CAM(Content Addressable Memory) 셀들을 포함하며, 상기 단위 CAM 셀들 각각은 :일 전극이 상기 매치 라인에 연결되어 데이터를 저장하는 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및일 전극이 상기 서치 라인에 연결된 서치 라인 억세스 트랜지스터를 포함하며, 상기 강유전체 트랜지스터의 타 전극과 상기 서치 라인 억세스 트랜지스터의 타 전극은 서로 연결된 CAM(Content Addressable Memory)
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제1항에 있어서, 상기 CAM은, 반전 비트 라인(inverted bit line)을 더 포함하고, 상기 단위 CAM 셀은 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터와 상보적인 정보를 저장하는 제2 강유전체 메모리 트랜지스터를 더 포함하는 CAM
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제2항에 있어서, 상기 제2 강유전체 메모리 트랜지스터는, 일 전극이 상기 매치 라인에 연결되고, 타 전극이 상기 서치 라인 억세스 트랜지스터의 상기 타 전극에 연결되며, 제어 전극이 상기 반전 비트 라인에 연결된 CAM
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제1항에 있어서, 상기 CAM은상기 단위 CAM 셀들 각각은 :각각의 서치 라인 억세스 트랜지스터가 도통되어 데이터 쓰기 및 데이터 검색이 수행되는 CAM
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제2항에 있어서, 상기 CAM은,상기 비트 라인 및 상기 반전 비트라인으로 쓰기 전압을 제공하여 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터에 데이터를 쓰되(write),상기 쓰기 전압은 상기 제1 및 제2 강유전체 트랜지스터의 임계 전압(critical voltage) 보다 큰 전압인 CAM
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제2항에 있어서, 상기 CAM은,상기 비트 라인 및 상기 반전 비트라인으로 검색 전압을 제공하여 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터에 저장된 데이터를 읽되(read),상기 검색 전압은 상기 제1 및 제2 강유전체 트랜지스터의 문턱 전압(threshold voltage) 보다 크되 상기 제1 및 제2 강유전체 트랜지스터의 임계 전압(critical voltage) 보다 작은 전압 전압인 CAM
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제1항에 있어서, 동일한 상기 매치 라인에 연결된 제1 강유전체 메모리 트랜지스터들에 저장된 데이터와,상기 동일한 매치 라인에 연결된 제1 강유전체 메모리 트랜지스터들에 각각 연결된 비트 라인으로 제공된 데이터가 일치할 때, 상기 동일한 매치 라인의 전압은 변화하지 않는 CAM
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제1항에 있어서, 동일한 상기 매치 라인에 연결된 제1 강유전체 메모리 트랜지스터들에 저장된 데이터와,상기 동일한 매치 라인에 연결된 제1 강유전체 메모리 트랜지스터들에 각각 연결된 비트 라인으로 제공된 데이터가 일치하지 않을 때,상기 동일한 매치 라인의 전압이 변화하는 CAM
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제2항에 있어서, 상기 제1 강유전체 트랜지스터와 상기 제2 강유전체 트랜지스터는 높은 저항 상태로 쓰기되어 무관 비트(don't care bit)를 저장하고, 상기 CAM은 터너리 CAM(ternary CAM)으로 동작하는 CAM
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CAM(Content Addressable Memory) 셀의 데이터 쓰기 방법으로, 상기 쓰기 방법은:목적하는 서치 라인에 연결된 서치 라인 억세스 트랜지스터를 도통시키는 단계와, 상기 목적하는 서치 라인에 제1 서치 라인 전압을 제공하여 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터의 일 전극에 상기 제1 서치 라인 전압을 제공하는 단계와, 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터의 제어 전극에 제1 제어 전압 및 상기 제2 강유전체 메모리 트랜지스터의 제어 전극에 제2 전압을 제공하여 정보를 저장하는 단계를 포함하는 CAM 데이터 쓰기 방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 서치 라인 전압은 기준 전압이고,상기 제1 제어 전압은 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터의 임계 전압(critical voltage) 이상의 전압이고, 상기 제2 제어 전압은 기준 전압이며,상기 제1 제어 전압이 제공된 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터는 낮은 저항 상태로 프로그램되는 CAM 데이터 쓰기 방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 서치 라인 전압은 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터의 임계 전압(critical voltage) 이상의 전압이고,상기 제1 제어 전압은 기준 전압이고, 상기 제2 제어 전압은 상기 임계 전압 이상의 전입이며, 상기 제1 제어 전압이 제공된 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터는 높은 저항 상태로 프로그램 되는 CAM 데이터 쓰기 방법
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제12항에 있어서, 상기 제2 제어 전압은 기준 전압이며, 상기 제1 전압과 제2 제어 전압이 제공된 상기 제1 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터는 모두 높은 저항 상태로 프로그램되어 무관 비트(Don't care bit)를 저장하는 CAM 데이터 쓰기 방법
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제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 강유전체 메모리 트랜지스터는 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터와 상보적인 상태로 프로그램되는 CAM 데이터 쓰기 방법
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CAM(Content Addressable Memory) 셀의 데이터 검색 방법으로, 상기 검색 방법은:매치 라인을 구동 전압으로 프리 차지(pre-charge) 하는 단계와,서치 라인에 기준 전압을 제공하고, 서치 라인 억세스 트랜지스터를 도통시켜 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터의 일 전극에 상기 기준 전압을 제공하는 단계와, 비트 라인에 검색 데이터를 제공하는 단계 및 상기 매치 라인의 전압 변화를 검출하는 단계를 포함하는 CAM 데이터 검색 방법
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제15항에 있어서, 상기 비트 라인에 검색 데이터를 제공하는 단계는, 반전 비트 라인에 상기 검색 데이터의 비트 와이즈 반전 데이터(bit-wise inverted data)를 제공하는 단계를 포함하는 CAM 데이터 검색 방법
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제16항에 있어서, 상기 검색 데이터를 제공하는 단계는, 상기 검색 데이터 및 상기 비트 와이즈 반전 데이터에 상응하는 전압을 상기 제1 강유전체 메모리 트랜지스터 및 제2 강유전체 메모리 트랜지스터의 제어 전극에 제공하여 수행하되, 상기 전압은 기준 전압 및 낮은 저항 상태의 강유전체 메모리 트랜지스터의 문턱 전압 이상이고, 높은 저항 상태의 강유전체 메모리 트랜지스터의 문턱 전압 이하 전압을 포함하는 CAM 데이터 검색 방법
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