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(a) 게이트전극 상에 배치된 절연층의 상부면에, 베타-산화갈륨 반도체로 채널층을 형성하는 단계;(b) 상기 채널층의 상부면의 일측에 소스전극을 배치하고, 상기 소스전극과 이격되는 타측에 드레인전극을 배치하여 베타-산화갈륨 기반 트랜지스터를 제작하는 단계; 및(c) 상기 채널층의 상부면에 대해 오존을 처리하는 단계;를 포함하는 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 오존은, 상기 채널층의 상부면의 산소 공공에 따른 표면 결함에 반응하는 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 베타-산화갈륨 기반 트랜지스터로부터 상향으로 가림막을 이격 배치하는 단계; 및상기 가림막의 상측에서 자외선을 조사하여, 상기 오존을 생성하는 단계;를 포함하는 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
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청구항 3에 있어서,상기 베타-산화갈륨 기반 트랜지스터는 챔버의 내부에 배치되고,소정의 유입속도로 공기가 상기 챔버의 내부로 유입되는 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
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청구항 4에 있어서,상기 공기의 유입속도는, 4 ~ 6 L/min인 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
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청구항 1에 있어서,상기 오존을 처리하는 시간은, 60분 이상인 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
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