| 1 |
1
광소자 제조 방법으로서,제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 제1 전하수송층을 형성하는 단계;상기 제1 전하수송층 상에 페로브스카이트층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트층 상에 제2 전하수송층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전하수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 페로브스카이트층을 형성하는 단계는,상기 페로브스카이트층을 외부와 차단한 상태에서, 상기 제1 전하수송층 상에 형성된 상기 페로브스카이트층을 후열처리(post-annealing)하는 단계를 포함하는, 광소자 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 후열처리하는 단계에서,상기 광소자를 뒤집어 상기 페로브스카이트층의 개방된 상면을 외부와 차단하는, 광소자 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 후열처리하는 단계에서,상기 페로브스카이트층의 개방된 상면을 유리 기판으로 덮어 외부와 차단하는, 광소자 제조 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 후열처리하는 단계는,상기 페로브스카이트층을 150℃에서 60분 이하로 후열처리하는 단계를 포함하는, 광소자 제조 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 후열처리하는 단계는,상기 페로브스카이트층을 150℃에서 5 ~ 30분 간 후열처리하는 단계를 포함하는, 광소자 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트층은 FAPbI3를 포함하는, 광소자 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제2 전하수송층은 PTAA에 해당하는, 광소자 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제2 전극은 Au에 해당하는, 광소자 제조 방법
|
| 9 |
9
광소자 제조 방법으로서,제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 제1 전하수송층을 형성하는 단계;상기 제1 전하수송층 상에 페로브스카이트층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트층 상에 제2 전하수송층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전하수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 전극, 상기 제1 전하수송층, 상기 페로브스카이트층, 상기 제2 전하수송층 및 상기 제2 전극을 포함하는 상기 광소자를 열처리하여 페로브스카이트층을 후열처리하는 단계를 포함하는, 광소자 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 광소자를 열처리하는 단계는,상기 광소자를 80 ~ 100℃에서 5 ~ 60분 간 열처리하는 단계를 포함하는, 광소자 제조 방법
|
