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반도체 기판 상에 구비된 드리프트층;상기 드리프트층 상부에 구비된 게이트 트렌치;상기 게이트 트렌치 내에 적층되며, 서로 다른 도전형의 폴리실리콘으로 구성된 제1 게이트 패턴 및 제2 게이트 패턴;상기 제1 게이트 패턴 하부에 구비되며, 일정 간격 이격된 분리된 형태의 쉴딩 패턴; 및상기 분리된 쉴딩 패턴들 사이의 상기 제1 게이트 패턴 하부에 구비된 전류 확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 게이트 패턴 및 상기 제2 게이트 패턴 사이에 형성된 게이트 산화막; 및상기 제1 게이트 패턴 및 상기 제2 게이트 패턴 측벽에 형성된 측벽 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자
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제1 항에 있어서, 상기 게이트 트렌치 양측의 상기 드리프트층 내에 상기 제1 게이트 패턴 및 상기 제2 게이트 패턴과 오버랩되도록 구비된 전류 확산층 영역;상기 전류 확산층 영역 상단부에 위치한 베이스 영역; 및상기 베이스 영역 상단부에 위치한 소스 영역으로 구성된 적층 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 게이트 패턴은 분할 게이트로 P타입 폴리실리콘으로 형성되며, 제2 게이트 패턴은 활성 채널 게이트로 N타입 폴리실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자
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제1 항에 있어서, 상기 쉴딩 패턴의 선폭과 상기 전류 확산층의 선폭이 약 3 : 4의 비를 갖는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자
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제1 항에 있어서, 상기 적층 패턴 측벽에 구비되어, 베이스 영역과 오버랩되도록 형성된 쉴딩 영역;상기 쉴딩 영역 및 상기 소스 영역 상부에 형성된 소스 메탈 라인;상기 제2 게이트 패턴 상부에 형성된 게이트 메탈 라인; 및 상기 반도체 기판 하부에 형성된 드레인 메탈 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자
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반도체 기판 상부에 드리프트층을 형성하는 단계;상기 드리프트층 내에 전류 확산층 영역, 베이스 영역 및 소스 영역을 순차적으로 형성하는 단계;상기 소스 영역, 베이스 영역 및 전류 확산층이 형성된 상기 드리프트층을 식각하여 게이트 트렌치를 형성하는 단계;상기 게이트 트렌치에 의해 노출된 전류 확산층의 일부 영역에 불순물 이온을 도핑하여 일정 간격 이격되어 분리된 형태의 쉴딩 패턴을 형성하는 단계; 및상기 쉴딩 패턴이 형성된 상기 게이트 트렌치 내에 제1 게이트 패턴 및 상기 제1 게이트 패턴과 다른 도전형을 갖는 제2 게이트 패턴을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제1 게이트 패턴 및 상기 제2 게이트 패턴 사이에 게이트 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 제1 게이트 패턴은 분할 게이트로 P타입 폴리실리콘으로 형성하며, 제2 게이트 패턴은 활성 채널 게이트로 N타입 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 쉴딩 패턴을 형성하는 단계는상기 게이트 트렌치에 의해 노출된 상기 전류 확산층을 중앙부에 마스크 패턴을 형성하여 상기 전류 확산층 양측을 오픈시키는 단계;상기 마스크 패턴에 의해 오픈된 상기 전류 확산층 양측에 불순물 이온을 주입하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하여 분리된 쉴딩 패턴 및 상기 쉴딩 패턴들 사이에 위치한 전류 확산층의 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 쉴딩 패턴의 선폭과 상기 전류 확산층의 선폭이 약 3 : 4의 비를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 소스 영역, 상기 베이스 영역 및 상기 전류 확산층 영역을 식각하여 소스 트렌치를 형성하는 단계;상기 소스 트렌치 내에 임플란트 공정을 통해 쉴딩 영역을 형성하는 단계; 및상기 소스 트렌치를 매립하며, 상기 소스 영역과 접속하는 소스 메탈 라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 소자의 제조 방법
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