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고무 및 고분자 수지 중 하나 이상을 포함하는 베이스(base) 기재; 및상기 베이스 기재에 분산된 방사선 차폐재;를 포함하며,상기 방사선 차폐재는 굴 패각 소성가공물을 포함하는, 방사선 차폐시트
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제1항에 있어서, 상기 굴 패각 소성가공물은 평균 입자 크기 2
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제1항에 있어서, 상기 굴 패각 소성가공물은 시트 총 중량에 대하여 70 내지 80중량%로 포함되는, 시트
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제1항에 있어서, 상기 방사선 차폐재는 텅스텐을 더 포함하며,상기 굴 패각 소성가공물과 텅스텐의 중량비는 3: 1 내지 5: 1인, 시트
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제1항에 있어서, 상기 시트는 300 내지 350 m2/g의 표면적;0
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방사선 차폐시트를 제조하기 위한 방법으로,굴 패각을 분쇄 및 소성가공하여 굴 패각의 소성가공물을 제조하는 단계; 베이스 기재를 용매에 녹인 캐스팅 용액에 상기 제조된 굴 패각의 소성가공물을 첨가한 뒤 교반하여 굴 패각의 소성가공물을 분산시키는 단계; 및상기 굴 패각의 소성가공물이 분산된 캐스팅 용액을 탈포시킨 후 압착 성형하여 방사선 차폐시트를 제조하는 단계;를 포함하는, 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 소성가공은 600 내지 1200℃에서 300분 내지 350분 동안 수행되는 것인, 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 방법은 굴 패각을 분쇄전 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는, 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 방법은 굴 패각을 분쇄 후 필터에 여과시켜 균등한 입자크기의 굴 패각 분말을 수득하는 단계를 더 포함하는, 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 캐스팅 용액에 굴 패각의 소성가공물을 분산시키는 단계는 텅스텐을 투입하여 분산시키는 것을 더 포함하는, 제조방법
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