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소수성 고분자에 전자선을 조사하는 단계;단량체 수용액의 전체 중량을 기준으로 0
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제1항에 있어서, 상기 소수성 고분자는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리비닐리덴플로라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 고분자인, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 전자선의 조사 선량은 30 kGy 내지 200 kGy인, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제인, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 계면활성제는 소르비탄의 지방산 에스테르(스팬, spans) 계면활성제, 폴리소르베이트 계면활성제, 에톡실화 계면활성제 및 PEG 계면활성제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나인, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 친수성 단량체는 (메타)아크릴레이트, 에틸렌성 불포화 결합 함유 아미드 또는 아민, 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 질소 함유 헤테로고리 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나인, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 전자선 조사된 소수성 고분자와 친수성 단량체 수용액을 혼합하는 단계는 30 내지 70의 온도에서 30분 내지 180분 동안 수행되는, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항에 있어서, 미반응 또는 단일중합된 친수성 단량체를 세척하는 단계; 및건조하는 단계를 추가로 포함하는, 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 소수성 고분자 기재 표면을 친수성으로 개질하는 방법에 의해 표면이 친수성 단량체로 그라프트 중합된, 표면이 친수성으로 개질된 고분자 기재
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