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기판 상에 형성되는 시드층(seed layer); 및상기 시드층 상에 형성된 전도성 전극층;을 포함하고,상기 시드층은 음이온성 고분자 전해질층(Negative Polyelectrolyte layer) 및 양이온성 고분자 전해질층(Positive Polyelectrolyte layer)이 교차하여 반복 적층되어 (음이온성 고분자 전해질층/양이온성 고분자 전해질층)n 구조 또는 (양이온성 고분자 전해질층/음이온성 고분자 전해질층)n 구조를 갖는 것(n은, 2 내지 20이다)을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제1항에 있어서, 상기 음이온성 고분자 전해질층 및 상기 양이온성 고분자 전해질층의 적층 횟수(n)에 따라 전기 화학적 임피던스가 조절되는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제1항에 있어서, 상기 음이온성 고분자 전해질층 및 상기 양이온성 고분자 전해질층의 적층 횟수(n)에 따라 투명도 및 전기전도도가 조절되는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제1항에 있어서, 상기 양이온성 고분자 전해질층은 폴리(알릴아민 수화염화물)(PAH), 폴리에틸렌이민(PEI) 및 폴리(디알릴디메틸암모늄 클로라이드)(PolyDADMAC) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제1항에 있어서, 상기 음이온성 고분자 전해질층은 폴리아크릴산(PAA), 폴리스티렌설포네이트(PSS) 및 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판-술폰 산)(PolyAMPS) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제1항에 있어서, 상기 전도성 전극층은 패턴화된 전도성 전극층인 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제1항에 있어서, 상기 전도성 전극층의 두께에 따라 전기 화학적 임피던스가 조절되는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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제7항에 있어서, 상기 전도성 전극층의 두께는 5nm 내지 50nm 인 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극
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기판 상에 음이온성 고분자 전해질 용액 및 양이온성 고분자 전해질 용액을 교차하여 반복 코팅하여 시드층(seed layer)을 형성하는 단계; 및상기 시드층 상에 전도성 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 시드층은 상기 음이온성 고분자 전해질층(Negative Polyelectrolyte layer) 및 상기 양이온성 고분자 전해질층(Positive Polyelectrolyte layer)이 교차하여 반복 적층되어 (음이온성 고분자 전해질층/양이온성 고분자 전해질층)n 구조 또는 (양이온성 고분자 전해질층/음이온성 고분자 전해질층)n 구조를 갖는 것(n은, 2 내지 20이다)을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 시드층 상에 전도성 전극층을 형성하는 단계는,상기 전도성 전극층을 패터닝하여 패턴화된 전도성 전극층을 형성하는 단계; 및상기 패턴화된 전도성 전극층이 형성되지 않은 영역에 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 음이온성 고분자 전해질 용액 및 상기 양이온성 고분자 전해질 용액은 용매를 포함하고,상기 용매는 탈이온수(DI Water), 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, n-프로판올 부탄올, 아세톤, 디메틸 케톤 및 메틸 에틸 케톤 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 신경 전극의 제조방법
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