| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
이산화규소(SiO2) 분말을 마그네슘(Mg) 증기와 접촉시켜 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)를 포함하는 환원된 실리콘 분말을 형성하는 단계;상기 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)를 감압하에서 열분해하여 실리콘 분말을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 분말을 질소 분위기에서 열처리하여 상기 실리콘 분말 표면에 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 3 |
3
이산화규소(SiO2) 분말을 마그네슘(Mg) 증기와 접촉시켜 마그네슘 실리사이드(Mg2Si) 분말을 형성하는 단계;상기 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)를 감압하에서 열분해하여 실리콘 분말을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 분말을 질소 분위기에서 열처리하여 상기 실리콘 분말 표면에 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 4 |
4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 질화물층을 형성하는 열처리는 800℃ 내지 1000℃의 온도에서 수행되는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 5 |
5
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 질화물층을 형성하는 열처리는 1 내지 3시간 동안 수행되는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 6 |
6
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 질화물층은 실리콘(Si) 및 질소(N)를 포함하는 질화물로 이루어진, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 7 |
7
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 실리콘 분말의 제조방법은 상기 실리콘 분말 표면에 질화물층을 형성하는 단계 이후, 표면에 질화물층이 형성된 실리콘 분말을 산처리하는 단계를 더 포함하는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 8 |
8
제2항에 있어서, 상기 이산화규소(SiO2) 분말을 마그네슘(Mg) 증기와 접촉시켜 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)를 포함하는 환원된 실리콘 분말을 형성하는 단계는, 700℃ 내지 1100℃의 온도 및 불활성 분위기에서 수행되는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 9 |
9
제3항에 있어서, 상기 이산화규소(SiO2) 분말을 마그네슘(Mg) 증기와 접촉시켜 마그네슘 실리사이드(Mg2Si) 분말을 형성하는 단계는, 700℃ 내지 1100℃의 온도 및 불활성 분위기에서 수행되는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 10 |
10
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 마그네슘 실리사이드(Mg2Si)의 열분해는 850℃ 내지 1050℃의 온도 및 10-1torr 내지 10-3torr의 감압 분위기에서 수행되는, 실리콘 분말의 제조방법
|
| 11 |
11
제2항 또는 제3항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되며 표면에 질화물층이 형성된, 실리콘 분말
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 표면에 질화물층이 형성된 실리콘 분말은 산소를 전체 중량 대비 2 중량% 이하로 포함하는, 실리콘 분말
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 질화물층은 실리콘(Si) 및 질소(N)를 포함하는 질화물로 이루어진, 실리콘 분말
|
| 14 |
14
제2항 또는 제3항의 제조방법으로 표면에 질화물층이 형성된 실리콘 분말을 제조하는 단계; 및상기 표면에 질화물층이 형성된 실리콘 분말을 질소 가스와 반응시켜 질화규소(Si3N4)를 제조하는 단계;를 포함하는, 질화규소의 제조방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 제조된 질화규소(Si3N4)는 산소를 전체 중량 대비 1
|
