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X-선을 방출하는 X-선 튜브;상기 X-선 튜브의 일단에 접속되는 스위칭 소자; 및상기 X-선 튜브의 양극 전압을 제어하고, 상기 X-선 튜브의 게이트 전압을 제어하고, 상기 스위칭 소자에 흐르는 전류를 제어함으로써 상기 X-선의 선량을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 토모신세시스 이미징 장치
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제1항에 있어서,상기 X-선 튜브는,전자를 방출하는 음극;상기 음극으로부터 상기 전자의 방출을 유도하기 위한 전기장을 형성하는 게이트; 및상기 전자와 충돌함으로써 상기 X-선을 방출하는 양극(anode)을 포함하는 토모신세시스 이미징 장치
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제1항에 있어서,상기 X-선 튜브의 음극은 CNT(Carbon Nano Tube)를 포함하는토모신세시스 이미징 장치
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제1항에 있어서,상기 스위칭 소자는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)을 포함하고,상기 MOSFET의 드레인(drain)은 상기 X-선 튜브의 음극에 연결되고,상기 MOSFET의 소스(source)는 상기 X-선 튜브의 양극에 연결되는 양극 전원의 일단 및 상기 X-선 튜브의 게이트에 연결되는 게이트 전원의 일단에 연결되는토모신세시스 이미징 장치
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제1항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 스위칭 소자에 제1 전압을 인가함으로써 상기 스위칭 소자를 고정 저항으로 동작시키고,상기 X-선 튜브의 게이트 전압에 기초하여 상기 X-선 튜브의 관전류를 제어함으로써 상기 X-선의 선량을 제어하는를 포함하는 토모신세시스 이미징 장치
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제1항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 X-선 튜브의 게이트에 제2 전압을 인가하고,상기 스위칭 소자에 인가되는 스위칭 전압에 기초하여 상기 스위칭 소자를 옴 영역(ohmic region)에서 동작시킴으로써 상기 스위칭 소자에 대응하는 스위칭 저항을 제어하고,상기 스위칭 저항에 기초하여 상기 X-선 튜브의 관전류를 제어함으로써 상기 X-선의 선량을 제어하는를 포함하는 토모신세시스 이미징 장치
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제1항에 있어서,상기 X-선 튜브는 제1 X-선 튜브 및 제2 X-선 튜브를 포함하고,상기 스위칭 소자는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자를 포함하고,상기 제1 스위칭 소자는 상기 제1 X-선 튜브의 음극에 연결되고,상기 제2 스위칭 소자는 상기 제2 X-선 튜브의 음극에 연결되는토모신세시스 이미징 장치
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제7항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 스위칭 소자 중에서 하나의 스위칭 소자에 턴 온(turn on) 전압을 인가하고,다른 하나의 스위칭 소자에 턴 오프(turn off) 전압을 인가하는토모신세시스 이미징 장치
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제7항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 제1 X-선 튜브 및 상기 제2 X-선 튜브에 동일한 양극 전압을 인가하고,상기 제1 X-선 튜브 및 상기 제2 X-선 튜브에 동일한 게이트 전압을 인가하는토모신세시스 이미징 장치
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제8항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 게이트 전압을 제어함으로써 상기 턴 온 전압이 인가된 하나의 스위칭 소자에 흐르는 전류를 제어함으로써 상기 X-선의 선량을 제어하는토모신세시스 이미징 장치
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X-선 튜브의 양극 전압을 제어하는 단계;상기 X-선 튜브의 게이트 전압을 제어하는 단계; 및상기 X-선 튜브의 일단에 접속되는 스위칭 소자에 흐르는 전류를 제어함으로써 상기 X-선 튜브로부터 방출되는 X-선의 선량을 제어하는 단계를 포함하는 토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 X-선 튜브는,전자를 방출하는 음극;상기 음극으로부터 상기 전자의 방출을 유도하기 위한 전기장을 형성하는 게이트; 및상기 전자와 충돌함으로써 상기 X-선을 방출하는 양극(anode)을 포함하는 토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 X-선 튜브의 음극은 CNT(Carbon Nano Tube)를 포함하는토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 스위칭 소자는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)을 포함하고,상기 MOSFET의 드레인(drain)은 상기 X-선 튜브의 음극에 연결되고,상기 MOSFET의 소스(source)는 상기 X-선 튜브의 양극에 연결되는 양극 전원의 일단 및 상기 X-선 튜브의 게이트에 연결되는 게이트 전원의 일단에 연결되는토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 X-선의 선량을 제어하는 단계는,상기 스위칭 소자에 제1 전압을 인가함으로써 상기 스위칭 소자를 고정 저항으로 동작시키는 단계를 포함하고,상기 게이트 전압을 제어하는 단계는,상기 X-선 튜브의 게이트 전압에 기초하여 상기 X-선 튜브의 관전류를 제어함으로써 상기 X-선의 선량을 제어하는 단계를 포함하는 토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 게이트 전압을 제어하는 단계는, 상기 X-선 튜브의 게이트에 제2 전압을 인가하는 단계를 포함하고,상기 X-선의 선량을 제어하는 단계는, 상기 스위칭 소자에 인가되는 스위칭 전압에 기초하여 상기 스위칭 소자를 옴 영역(ohmic region)에서 동작시킴으로써 상기 스위칭 소자에 대응하는 스위칭 저항을 제어하는 단계; 및상기 스위칭 저항에 기초하여 상기 X-선 튜브의 관전류를 제어함으로써 상기 X-선의 선량을 제어하는 단계를 포함하는 토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 X-선 튜브는 제1 X-선 튜브 및 제2 X-선 튜브를 포함하고,상기 스위칭 소자는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자를 포함하고,상기 제1 스위칭 소자는 상기 제1 X-선 튜브의 음극에 연결되고,상기 제2 스위칭 소자는 상기 제2 X-선 튜브의 음극에 연결되는토모신세시스 이미징 장치 제어 방법
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