맞춤기술찾기

이전대상기술

에지리스 활성탄, 그 제조방법, 상기 에지리스 활성탄을 포함하는 납-카본전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2023000416
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 납-카본 전지용 활성탄 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 활성탄 표면에 존재하는 에지에 의한 반응성을 억제하기 위해 활성탄에 존재하는 에지룰 제거하여 얻어진 에지리스 활성탄 및 그 제조방법과 에지리스 활성탄을 이용하여 제조된 음극을 포함하여 충전수입성이 개선되고, 전자 전달을 용이하게 함으로써 금속납의 환원을 유도하여 장수명 성능을 확보할 수 있는 납-카본전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 32/378 (2017.01.01) C01B 32/318 (2017.01.01) H01M 10/06 (2006.01.01)
CPC C01B 32/378(2013.01) C01B 32/378(2013.01) C01B 32/378(2013.01) C01B 32/378(2013.01) C01B 32/378(2013.01) C01B 32/378(2013.01) C01B 32/378(2013.01)
출원번호/일자 1020210140363 (2021.10.20)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0056845 (2023.04.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.10.20)
심사청구항수 21

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김융암 광주광역시 북구
2 정호영 경기도 성남시 수정구
3 위재형 경기도 안산시 상록구
4 최고봉 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강서구 마곡중앙로 ***-*, 비동 ***호 (마곡동, 두산더랜드파크)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2021-1202821-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2023.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0114879-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0564238-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성탄에서 연속적인 육각형 구조로 이루어진 기저면 (basal plane)의 외곽에 위치한 산소관능기 또는 수소로 구성된 부분인 에지(edge)의 함량이 일정비율로 존재하는 에지리스 활성탄
2 2
제 1 항에 있어서,상기 일정비율은 상기 기저면의 비표면적에 대해 측정된 상기 에지가 차지하는 비표면적의 상대적인 비율로서, 2 부피% 이하인 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄
3 3
제 1 항에 있어서,상기 에지의 총 함량이 500μmol/g이하이고 상기 에지가 차지한 비표면적이 26m2/g이하인 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄
4 4
제 1 항에 있어서,상기 활성탄은 야자각계 활성탄, 페놀수지계 활성탄, 코크스계 활성탄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에지가 일정비율로 존재하면 부가반응이 억제되는 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄
6 6
활성탄 내에 존재하는 불순물을 제거하는 정제단계; 및상기 정제된 활성탄을 1000-2000℃ 온도에서 처리하는 열처리단계;를 포함하는 에지리스 활성탄 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 정제단계는 상기 활성탄을 1몰 내지 10몰의 염산수용액으로 12시간 이하로 처리하여 금속불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 열처리단계는 흑연화로를 이용하여 아르곤가스 분위기에서 30분 이내로 처리되는 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 열처리된 활성탄의 표면에 잔존하는 에지를 제거하는 잔존 에지제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 잔존 에지제거단계는 상기 열처리된 활성탄을 아민화 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 아민화 반응은 상기 열처리된 활성탄에 무수에탄올과 diethylenetriamine, 요소 (CH4N2O), 암모니아 (NH3)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 아민화제를 넣고 70 내지 100℃에서 10시간 이상 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
12 12
제 6 항에 있어서,상기 활성탄은 야자각계 활성탄, 페놀수지계 활성탄, 코크스계 활성탄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
13 13
제 6 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에지리스 활성탄은 상기 에지의 총 함량이 500μmol/g이하이고 상기 에지가 차지한 비표면적이 26m2/g이하인 것을 특징으로 하는 에지리스 활성탄 제조방법
14 14
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 에지리스 활성탄 또는 제 6 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 에지리스 활성탄 및 상기 활성탄 표면에 형성된 나노납 침착층을 포함하는 나노납 함유 에지리스 활성탄
15 15
제 14 항의 나노납 함유 에지리스 활성탄을 포함하는 전극슬러리 조성물
16 16
제 15 항에 있어서,상기 나노납함유 에지리스 활성탄 100중량부 당 바인더 2 내지 20중량부 및 분산용매 200 내지 300중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극슬러리 조성물
17 17
제 16 항에 있어서,상기 바인더는 폴리비닐리덴플로라이드 (Polyvinylidenefloride), 카르복시메틸셀룰로오스(carboxymethylcellulose), 스티렌부타디엔고무로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상이고, 상기 분산용매는 에탄올, 아세톤, 이스프로필알콜, 메틸 피롤리돈, 프로필렌글리콜로 구성된 그룹에서 선택되는 어느 하나이상인 것을 특징으로 하는 전극슬러리 조성물
18 18
제 15 항의 전극슬러리 조성물로 코팅된 전극
19 19
제 18 항에 있어서,상기 전극슬러리 조성물은 납 극판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 전극
20 20
제 18 항의 전극을 음극으로 포함하는 납-카본전지
21 21
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 에지리스 활성탄 또는 제 6 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 에지리스 활성탄을 준비하는 단계; 상기 에지리스 활성탄에 나노 납을 침착시켜 형성된 나노납 침착층을 포함하는 나노납함유 에지리스 활성탄을 준비하는 나노납 침착단계; 상기 나노납함유 에지리스 활성탄을 포함하는 전극슬러리 조성물을 준비하는 전극슬러리준비단계; 및 상기 전극슬러리 조성물을 납 극판에 코팅하는 전극 제조단계;를 포함하는 납-카본전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 전남대학교 나노·소재기술개발(R&D) 산화그래핀 표면개질을 통한 고전도성 그래핀 하이브리드 소재 개발