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아연이 도핑된 게르마늄 입자를 포함하고,상기 도핑된 아연의 함량은, 0
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제1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 게르마늄 입자의 직경은,20 ㎚ 내지 100 ㎛인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 아연이 도핑된 게르마늄 입자의 형태는,나노와이어(nanowire), 나노튜브(nanotube), 할로우 나노입자(hollow nanoparticle), 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제4항에 있어서,상기 아연이 도핑된 게르마늄 입자의 형태는, 할로우 나노입자(hollow nanoparticle)이고,상기 아연이 도핑된 게르마늄 입자의 내부 직경은, 50 내지 800 ㎚인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 게르마늄 입자의 표면 상에,전도성 물질로 이루어진 코팅층을 더 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제6항에 있어서, 상기 전도성 물질은,탄소, 구리, 주석, 티타늄, 니켈, 은, 백금, 금, 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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게르마늄 산화물을 준비하는 단계;상기 게르마늄 산화물에 금속 분말을 혼합하여, 혼합물을 제조하는 단계;상기 혼합물을 열처리하는 단계; 및아연이 도핑된 게르마늄을 수득하는 단계;를 포함하며,상기 금속 분말은, 아연을 포함하는 것이고,상기 혼합물을 열처리하는 단계;에서, 상기 금속 분말에 의해, 상기 게르마늄 산화물이 게르마늄으로 환원되고, 상기 게르마늄에는 상기 아연이 도핑되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 혼합물을 열처리하는 단계;에서, 상기 게르마늄 산화물의 환원 및 상기 게르마늄의 아연 도핑은 동시에 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 혼합물을 열처리하는 단계;에서, 상기 게르마늄 산화물의 형태가 유지되며 게르마늄으로 환원되고, 상기 게르마늄에는 아연이 도핑되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 혼합물을 열처리하는 단계;는,400 내지 900 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 혼합물을 열처리하는 단계;는,1 내지 6 시간 동안 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 게르마늄 산화물에 금속 분말을 혼합하여, 혼합물을 제조하는 단계;에서,상기 혼합물 내 게르마늄 산화물 및 금속 분말의 함량 비율은,상기 금속 분말에 대한 상기 게르마늄 산화물의 중량 비율로서, 1:1
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제13항에 있어서,상기 금속 분말 내 아연의 함량은,상기 금속 분말의 전체 중량(100 중량%)에 대한 상기 아연의 중량%로서, 50 % 이상인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 게르마늄 산화물에 금속 분말을 혼합하여, 혼합물을 제조하는 단계;에서,상기 혼합 방법은, 건식 혼합 또는 습식 혼합인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 혼합 방법은, 건식 혼합이고,상기 혼합물은, 광물 첨가제를 더 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 광물 첨가제는,염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl), 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘 (MgCl2) 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 혼합 방법은, 습식 혼합이고,상기 혼합물은 수용성 고분자를 더 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 수용성 고분자는,폴리아크릴산(PAA), 폴리닐알코올(PVA), 셀룰로오스(cellulose), 아가로오스(agarose), 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,게르마늄 산화물을 준비하는 단계;는,주석 전구체를 준비하는 단계;상기 주석 전구체를 음파 처리하는 단계; 및할로우 나노입자(hollow nanoparticle) 형태인 게르마늄 산화물을 수득하는 단계;를 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,게르마늄 산화물을 준비하는 단계;는,자연 광물로부터 수득된 게르마늄 산화물을 준비하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 금속 분말은,아연을 포함하고, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 더 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 아연이 도핑된 게르마늄에서,상기 도핑된 아연의 함량은, 0
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제8항에 있어서,아연이 도핑된 게르마늄을 수득하는 단계;는,상기 아연이 도핑된 게르마늄의 표면에 형성된 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제24항에 있어서,상기 부산물의 제거 방법은,선택적 식각인 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제24항에 있어서,상기 부산물의 제거 방법은,상기 아연이 도핑된 게르마늄을 산에 투입하고, 교반하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제24항에 있어서,상기 아연이 도핑된 게르마늄의 표면에 형성된 부산물을 제거하는 단계; 이후에,감압 여과(Vacuum filtration)하는 단계;를 더 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,아연이 도핑된 게르마늄을 수득하는 단계; 이후에,상기 아연이 도핑된 게르마늄의 표면에, 전도성 물질로 이루어진 코팅층을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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양극;음극; 및전해질;을 포함하고,상기 음극은, 제1항, 및 제3항 내지 제7항 중 어느 하나의 이차 전지용 음극 활물질을 포함하는,리튬 이차 전지
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