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선형 대향 타겟 스퍼터링(linear facing target sputtering, LFTS) 장치에 유기물층이 형성되어 있는 기판 및 대향 타겟을 준비하는 단계;선형 대향 타겟 스퍼터링 방법을 이용해 상기 유기물층 상에 제 1 증착막을 형성하는 단계; 및선형 대향 타겟 스퍼터링 방법을 이용해 상기 제 1 증착막 상에 제 2 증착막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 대향 타겟은 전도성 산화물을 포함하며,상기 제 2 증착막을 형성하는 단계는 상기 제 1 증착막을 형성하는 단계보다 높은 파워로 증착을 진행하며,투명 산화물 전극은 상기 제 1 증착막 및 상기 제 2 증착막으로 이루어지고,상기 제 2 증착막을 형성하는 단계가 상기 제 1 증착막을 형성하는 단계보다 높은 파워로 진행될 때, 상기 제 1 증착막은 보호층 역할을 수행하여 유기물층을 보호하며,상기 제 2 증착막을 형성하는 단계가 상기 제 1 증착막을 형성하는 단계보다 높은 파워로 진행되어, 상기 제 2 증착막은 높은 광학적 및 전기적 특성을 나타내는,유기물층 상에 투명 산화물 전극을 형성하기 위한 스퍼터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기물층은 유기물 또는 유무기 하이브리드 물질을 포함하는 층인,유기물층 상에 투명 산화물 전극을 형성하기 위한 스퍼터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 선형 대향 타겟 스퍼터링 장치를 이용해 100℃ 이하의 온도에서 상기 투명 산화물 전극이 증착되는,유기물층 상에 투명 산화물 전극을 형성하기 위한 스퍼터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 산화물은 IZTO, ITO, IWO, IMO, INbO, IGO, ISO, GZO, AZO, AGZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO, IZO 중 어느 하나를 포함하는,유기물층 상에 투명 산화물 전극을 형성하기 위한 스퍼터링 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 투명 산화물 전극
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제 7 항에 있어서,상기 투명 산화물 전극은 상기 제 1 증착막 및 상기 제 2 증착막으로 이루어진,투명 산화물 전극
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 투명 산화물 전극을 포함하는, 태양전지
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