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실리콘 코어; 상기 코어의 표면에 위치하는 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층; 및상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층 표면에 위치하는 탄소 코팅층;을 포함하되,상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층은, 다결정 구조의 BaTiOx(0
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층은,단결정 구조의 BaTiOx(0
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제1항에 있어서, 상기 코어에 대한 상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층의 중량비는,99: 1 내지 50: 50인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질 내 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층의 함량은,상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 총 중량(100%)에 대해, 1 내지 30 중량%인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층의 두께는, 1 내지 100 ㎚인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층에 대한 상기 탄소 코팅층의 중량비는,99
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제1항에 있어서, 상기 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 총 중량(100%)에 대해, 상기 코어는 50 내지 99 중량% 포함되고, 상기 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층은 1 내지 49
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제1항에 있어서, 상기 탄소 코팅층의 두께는, 1 내지 100 ㎚인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 코어는,결정성 실리콘, 비결정성 실리콘 산화물, 또는 이들의 조합을 포함하는,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 코어의 직경은,5 ㎚ 내지 10 ㎛인,리튬 이차 전지용 음극 활물질
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실리콘 코어를 준비하는 단계; 상기 코어의 표면에, 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층을 형성하는 단계; 상기 코어 및 상기 코어의 표면에 형성된 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층을 열처리하는 단계; 및상기 열처리된 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층의 표면에, 탄소 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 코어의 표면에, 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층을 형성하는 단계;는 상기 코어, 보론(B) 원료 물질, 티탄(Ti) 원료 물질, 및 용매를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계; 및 상기 혼합 용액을 교반하는 단계;를 포함하며, BaTiOx(0
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제14항에 있어서,상기 코어 및 상기 코어의 표면에 형성된 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층을 열처리하는 단계;는,1 분 내지 24 시간 동안 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 코어, 보론(B) 원료 물질, 티탄(Ti) 원료 물질, 및 용매를 포함하는 혼합 용액을 제조하는 단계;는,상기 혼합 용액 총 중량(100 중량%)에 대해, 상기 코어는 50 내지 99 중량%, 상기 보론(B) 원료 물질은 0
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제14항에 있어서, 상기 용매는,물(H2O), 에탄올(Ethanol), 메탄올(Methanol), 부탄올(Butanol), 에틸렌글리콜(Ethylene glycol), 디에틸렌글리콜(Diethylene glycol), 프로필렌글리콜(Propylene glycol), 폴리에틸렌글리콜(Poly(ethylene glycol)), 엔-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 디에틸에터(Diethyl ether), 글리세롤(Glycerol), 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 혼합 용액을 교반하는 단계;는,10 내지 200 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 열처리된 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층의 표면에, 탄소 코팅층을 형성하는 단계;는,화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 열처리된 페로브스카이트(perovskite)계 산화물 코팅층의 표면에, 탄소 코팅층을 형성하는 단계;는,400 내지 1200 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법
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음극;양극; 및전해질;을 포함하고,상기 음극은 음극 활물질을 포함하며, 상기 음극 활물질은 제1항, 제2항, 제5항 내지 제7항, 및 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 것인,리튬 이차 전지
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