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기판 상에 순차적으로 배치된 하부 산화물층, 금속층 및 상부 산화물층을 포함하며,상기 하부 산화물층, 상기 금속층 및 상기 상부 산화물층은 서로 대응되는 그리드(grid) 패턴 구조로 형성되고,상기 금속층의 두께는 14 nm 내지 50 nm이며,상기 그리드 패턴 구조의 충진율은 0
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제1항에 있어서,상기 하부 산화물층 및 상기 상부 산화물층은, ZnO, MgZnO, ITO, GIZO, IZTO, AZO, ZTO, NiO 및 SnO2 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 산화물로 구성된 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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제2항에 있어서,상기 산화물은, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn) 및 인듐(In) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질로 도핑된 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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제1항에 있어서,상기 상부 산화물층 및 상기 하부 산화물층의 두께는 각각 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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제1항에 있어서,상기 금속층은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 이들의 두가지 이상의 합금 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속으로 구성된 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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삭제
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7
삭제
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 상기 하부 산화물층, 상기 금속층 및 상기 상부 산화물층이 형성된 영역 사이의 이격공간을 매립하는 반사방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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9
제8항에 있어서,상기 반사방지층은 MgF2, SiO2, SiNx, TiO2 및 MgO 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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10
제1항에 있어서,상기 기판 상에 상기 하부 산화물층, 상기 금속층 및 상기 상부 산화물층이 형성된 영역 사이의 이격공간을 매립하는 접촉저항 감소층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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11
제10항에 있어서,상기 접촉저항 감소층은 ITO, NiO, WOx, MoOx 및 V2Ox 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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12
제1항에 있어서,상기 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극의 투과도는 90% 내지 95%인 것을 특징으로 하는 그리드 패턴 구조를 포함하는 터치 패널 디스플레이 소자용 다층 투명전극
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