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지지체, 금속, 및 열 흡수제(Thermal scavenger)를 혼합한 혼합물을 준비하는 단계;상기 혼합물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리된 결과물을 산처리하는 단계를 포함하고,상기 지지체는 탈크(talc), 사포나이트(saponite), 헥토라이트(hectorite), 버미큐라이트(vermiculite), 카올리나이트(kaolinite), 및 마카다이트(magadite) 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하며,결정질의 실리콘이 비결정질의 실리콘 산화물에 배열 및 내장되어 있고, 기공 구조를 가지며, 판상 구조를 갖는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산처리한 결과물을 탄화시키는 단계를 더 포함하는 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe), 리튬(Li), 나트륨(Na), 게르마늄(Ge), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 크롬(Cr), 및 바륨(Ba)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열 흡수제(Thermal scavenger)는 염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl), 및 염화마그네슘(MgCl2)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 혼합물 내 지지체, 금속, 및 열 흡수제(Thermal scavenger)의 중량비는 1
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 혼합물을 비활성 기체 분위기에서 500~700℃의 온도로 2~6시간 동안 열처리하는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산처리하는 단계는상기 열처리된 결과물과 산성용액을 혼합하고, 70~90℃의 온도에서 7~9시간동안 초음파 처리하는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제8항에 있어서,상기 산성용액은 염산, 질산 황산, 인산, 불산, 과염소산, 염소산, 아염소산, 차아염소산, 및 요오드산로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제2항에 있어서,상기 탄화시키는 단계는상기 산처리한 결과물을 비활성 기체/수소(H2) 분위기에서 800~1000℃의 온도에서 1~3시간 동안 탄화시키는 것인 실리콘계 나노 플레이트 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조되어 실리콘이 내장된 실리콘 산화물(Si/SiOx)을 포함하고 기공구조를 갖는 실리콘계 나노 플레이트;를 활물질로 포함하는 음극재
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제11항에 있어서,상기 실리콘계 나노 플레이트 내 기공의 평균 직경은 5 ~ 15 nm인 것인 음극재
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제11항에 있어서,상기 실리콘계 나노 플레이트는 실리콘 나노 플레이트 전체 부피 100% 기준으로 63
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제11항에 있어서, 상기 실리콘계 나노 플레이트의 BET 표면적은 510~520 m2/g인 것인 음극재
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제11항에 있어서,상기 실리콘계 나노 플레이트는 탄소 코팅을 더 포함하는 것인 음극재
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제15항에 있어서,상기 탄소 코팅은 5 ~15 nm의 두께를 갖는 것인 음극재
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