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집전체 기재;상기 집전체 기재의 적어도 일면의 적어도 일부분에 형성되고, 비정질 질화붕소층; 및상기 비정질 질화붕소층 상의 적어도 일부분에 형성된 금속 함유층;을 포함하는 것인,음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 집전체 기재는, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Ru, Pt, Ir, Li, Al, Sn, Bi, Sb 및 이들의 합금; 소성탄소; 및 스테인리스(stainless);로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 집전체 기재는, Cu, Ni, Ti, 스테인리스(stainless) 또는 Al을 포함하는 제1 성분; 및 Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Ru, Pt, Ir, Li, Al, Sn, Bi, Sb 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 제2 성분(제1 성분과 동일한 원소는 제외); 을 포함하는 것인,음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 비정질 질화붕소층의 두께는, 10 nm 이하인 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 비정질 질화붕소층의 두께는, 0
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제1항에 있어서,상기 비정질 질화붕소층의 두께는, 원자 두께인 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유층은, 상기 비정질 질화붕소층 상에서 증착법으로 직성장되고,상기 금속 함유층은, 전기증착법으로 직성장된 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유층은, 리튬(Li), 나트륨(Na), 알루미늄 (Al), 칼슘 (Ca) 은(Ag), 금(Au), 나트륨(Na), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 및 칼륨(K)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 금속; 상기 금속을 포함하는 황화물; 할로겐화물; 산화물; 금속간 화합물; 및 합금;으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유층은, 금속 함유 덴드라이트 구조-프리(free)이고,상기 금속 함유층은, 평면막(planar flim)인 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유층의 두께는, 1 nm 내지 100 μm인 것인, 음극 집전체
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제1항에 있어서,상기 금속 함유층은, 리튬 금속, 황화리튬, 할로겐화 리튬, 리튬 합금 또는 이 둘을 포함하는 것인, 음극 집전체
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제11항에 있어서,상기 리튬 합금은, 리튬; 및 나트륨(Na), 알루미늄 (Al), 칼슘 (Ca) 은(Ag), 금(Au), 나트륨(Na), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 및 칼륨(K)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상;을 포함하는 것인, 음극 집전체
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음극부; 양극부; 및 상기 음극부 및 상기 양극부 사이의 전해질;을 포함하고,상기 음극부는, 음극 집전체를 포함하고,상기 음극 집전체는,집전체 기재;상기 집전체 기재의 적어도 일면의 적어도 일부분에 형성된 비정질 질화붕소층; 및상기 비정질 질화붕소층 상의 적어도 일부분에 형성된 금속 함유층;을 포함하는 것인, 금속 전지
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제13항에 있어서,상기 전해질은, 액체 전해질, 고체 전해질 또는 이 둘을 포함하는 것인,금속 전지
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제13항에 있어서,상기 음극 집전체는,상기 금속 함유층 상에 전해질이 접촉하는, 무음극향 집전체인 것인, 금속 전지
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제13항에 있어서,상기 금속 전지는, 리튬 금속 전지인 것인, 금속 전지
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집전체 기재를 준비하는 단계; 상기 집전체 기재의 적어도 일면의 적어도 일부분에 비정질 질화붕소층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 질화붕소층 상의 적어도 일부분에 금속 함유층을 형성하는 단계;를 포함하는,음극 집전체의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 비정질 질화붕소층을 형성하는 단계는, 상기 집전체 상에 비정질 질화봉소층을 전사하는 단계;를 포함하고,상기 비정질 질화봉소층의 두께는, 10 nm 이하인 것인,음극 집전체의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 비정질 질화붕소층을 형성하는 단계는, 상기 집전체 상에서 증착법으로 비정질 질화붕소를 직성장시키는 단계;를 포함하고,상기 비정질 질화봉소층의 두께는, 10 nm 이하인 것인,음극 집전체의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 금속 함유층을 형성하는 단계는, 상기 비정질 질화붕소층 상에 증착법으로 금속 함유층을 직성장시키는 것인,음극 집전체의 제조방법
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