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유연 기판; 상기 유연 기판의 상부에 배치되어, 투명전도성산화물(TCO)로 이루어진 투명전극층 및 상기 투명전극층 상에 마련된 금속중간층을 포함하는 후면전극층; 상기 후면전극층의 상부에 마련된 칼코지나이드 광흡수층;상기 칼코지나이드 광흡수층의 상부에 마련된 버퍼층; 및상기 버퍼층의 상부에 마련된 전면전극층; 을 포함하되, 상기 투명전극층은 100nm 초과 및 1000nm 미만 범위의 두께를 갖도록 마련된,유연 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 금속중간층은 몰리브데늄(Mo) 및 Ag 중 적어도 어느 하나를 포함하되, 1 μm 이하의 두께를 갖도록 마련된,유연 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 투명전도성산화물(TCO)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는,유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS,, Zn(O,S), ZnMgO, ZnSnO, ZnTiO, In2S3 중 적어도 어느 하나를 포함하는,유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면전극층은F-doped SnOx, (H, Mo, W)-doped InOx, Al-doped ZnOx, In-doped ZnOx, Ga-doped ZnOx 및 B-doped ZnOx 중 적어도 어느 하나를 포함하는,유연 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 유연기판은 폴리이미드(PI)를 포함하는,유연 태양전지
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유연 기판의 상부에, 투명전도성산화물(TCO)로 이루어진 투명전극층 및 상기 투명전극층 상에 마련된 금속중간층을 포함하는 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층에 대해 제 1 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 후면전극층 상에 칼코지나이드 광흡수층을 형성하는 단계;상기 칼코지나이드 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 칼코지나이드 광흡수층 및 버퍼층에 대해 제 2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계; 및상기 전면전극층에 대해 제 3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계; 를 포함하되,상기 투명전극층은 100nm 초과 및 1000nm 미만 범위의 두께를 가지도록 형성되는,유연 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 금속중간층은 1 μm 이하의 두께를 가지도록 마련된, 유연 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 투명전극층 및 금속중간층은 물리적 증착(PVD)의 방법으로 형성되는, 유연 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 버퍼층은화학습식공정(CBD) 또는 원자층 증착법(ALD)으로 형성되는, 유연 태양전지의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 칼코지나이드 광흡수층은500℃미만의 온도조건에서 형성되는, 태양전지의 제조방법
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