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nBn구조를 이용한 중적외선 광검출소자의 제조방법으로서,0
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청구항 1에 있어서,상기 제2물질의 격자상수와 상기 제1물질의 격자상수의 차이는 0
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3
청구항 1에 있어서,상기 제2물질의 전도대의 에너지준위는 상기 제2물질의 가전자대의 에너지준위보다 높은, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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4
청구항 1에 있어서,상기 제1물질이 InAs인 경우에는 상기 제2물질이 AlSb, InAlSb, AlAsSb, 및 InAlAsSb 중 어느 하나이고,상기 제1물질이 InAsSb인 경우에는 상기 제2물질이 AlSb, InAlSb, AlAsSb, 및 InAlAsSb 중 어느 하나이고,상기 제1물질이 InSb인 경우에는 상기 제2물질이 AlSb, InAlSb, AlAsSb, InAlAsSb, 및 GaAsSb 중 어느 하나인, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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5
청구항 1에 있어서,상기 베리어층을 형성하는 단계는,분자빔에피택시 공정을 이용하여 상기 제1물질이 수용되는 제1이퓨전셀과 상기 제2물질이 수용되는 제2이퓨전셀 각각의 셔터를 완전히 개방한 상태에서, 상측으로 갈수록 상기 제1이퓨전셀의 히터온도는 감소 혹은 유지하고, 상기 제2이퓨전셀의 히터온도는 증가하는 형태로 상기 베리어층을 형성하는, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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6
청구항 1에 있어서,상기 베리어층을 형성하는 단계는,분자빔에피택시 공정을 이용하여 상기 제1물질이 수용되는 제1이퓨전셀과 상기 제2물질이 수용되는 제2이퓨전셀 각각의 히터온도를 기설정된 온도로 설정한 상태에서, 상측으로 갈수록 상기 제1이퓨전셀의 셔터의 개구율은 감소하고, 상기 제2이퓨전셀의 셔터의 개구율은 증가하는 형태로 상기 베리어층을 형성하는, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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7
nBn구조를 이용한 중적외선 광검출소자의 제조방법으로서,0
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청구항 7에 있어서,상기 제2물질의 가전자대의 에너지준위와 상기 제1물질의 가전자대의 에너지준위의 차이는 2
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9
청구항 7에 있어서,상기 제3물질의 격자상수와 상기 제1물질의 격자상수의 차이는 0
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10
청구항 7에 있어서,상기 제2물질의 전도대의 에너지준위는 상기 제2물질의 가전자대의 에너지준위보다 높고,상기 제3물질의 전도대의 에너지준위는 상기 제3물질의 가전자대의 에너지준위보다 높고, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 제1물질이 InAs인 경우에는 상기 제2물질 및 상기 제3물질 각각이 AlSb, InAlSb, AlAsSb, 및 InAlAsSb 중 어느 하나이고, 상기 제1물질이 InAsSb인 경우에는 상기 제2물질 및 상기 제3물질 각각이 AlSb, InAlSb, AlAsSb, 및 InAlAsSb 중 어느 하나이고,상기 제1물질이 InSb인 경우에는 상기 제2물질 및 상기 제3물질 각각이 AlSb, InAlSb, AlAsSb, InAlAsSb, 및 GaSb 중 어느 하나인, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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12
청구항 7에 있어서,상기 베리어층을 형성하는 단계는,분자빔에피택시 공정을 이용하여 상기 제2물질이 수용되는 제2이퓨전셀과 상기 제3물질이 수용되는 제3이퓨전셀 각각의 셔터를 완전히 개방한 상태에서, 상측으로 갈수록 상기 제2이퓨전셀의 히터온도는 감소하고, 상기 제3이퓨전셀의 히터온도는 증가하는 형태로 상기 베리어층을 형성하는, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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13
청구항 7에 있어서,상기 베리어층을 형성하는 단계는,분자빔에피택시 공정을 이용하여 상기 제2물질이 수용되는 제2이퓨전셀과 상기 제3물질이 수용되는 제3이퓨전셀 각각의 히터온도를 기설정된 온도로 설정한 상태에서, 상측으로 갈수록 상기 제2이퓨전셀의 셔터의 개구율은 감소하고, 상기 제3이퓨전셀의 셔터의 개구율은 증가하는 형태로 상기 베리어층을 형성하는, 중적외선 광검출소자의 제조방법
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