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기판; 상기 기판 상에 제공되는 제1 웰; 상기 제1 웰의 상부에 제공되는 한 쌍의 고농도 도핑 영역들; 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 사이에 제공되는 콘택;을 포함하되, 상기 기판 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역은 제1 도전형을 갖고, 상기 제1 웰 및 상기 콘택은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 단일 광자 검출 픽셀
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제 1 항에 있어서,상기 콘택 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들은 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 및 상기 제1 웰의 경계들에 인접한 영역들에 각각 한 쌍의 공핍 영역들을 형성하는 전압이 인가되도록 구성되는 단일 광자 검출 픽셀
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제 1 항에 있어서,상기 콘택은 서로 연결되는 한 쌍의 고리 형상들을 갖되, 상기 한 쌍의 고리 형상들 내에 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들이 각각 배치되는 단일 광자 검출 픽셀
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제 3 항에 있어서,상기 한 쌍의 고리 형상들은 한 쌍의 원 고리 형상들, 한 쌍의 팔각 고리 형상들, 및 한 쌍의 사각 고리 형상들 중 어느 하나인 단일 광자 검출 픽셀
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제 1 항에 있어서,상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들을 각각 둘러싸는 한 쌍의 가드링들;을 더 포함하되,상기 한 쌍의 가드링들은 상기 제1 도전형을 갖는 단일 광자 검출 픽셀
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제 5 항에 있어서,상기 한 쌍의 가드링들 사이에 제공되는 제1 추가 분리 영역;을 더 포함하되,상기 제1 추가 분리 영역은 상기 한 쌍의 가드링들 아래에 배치되는 단일 광자 검출 픽셀
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제 5 항에 있어서,상기 한 쌍의 가드링들 사이에 제공되는 제2 추가 분리 영역;을 더 포함하되, 상기 제2 추가 분리 영역은 상기 한 쌍의 가드링들이 서로 마주하는 영역을 지나는 단일 광자 검출 픽셀
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8
제 1 항에 있어서,상기 제1 웰과 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 사이에 각각 제공되는 한 쌍의 제2 웰들;을 더 포함하되,상기 한 쌍의 제2 웰들은 상기 제1 도전형을 갖는 단일 광자 검출 픽셀
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9
기판; 상기 기판 상에 제공되는 제1 웰; 상기 제1 웰의 상부에 제공되는 한 쌍의 고농도 도핑 영역들; 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들을 둘러싸는 고리 형상을 갖는 콘택;을 포함하되, 상기 기판 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역은 제1 도전형을 갖고, 상기 제1 웰 및 상기 콘택은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 단일 광자 검출 픽셀
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10
제 9 항에 있어서,상기 고리 형상은 원 고리 형상, 팔각 고리 형상, 및 사각 고리 형상 중 어느 하나인 단일 광자 검출 픽셀
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11
제 9 항에 있어서,상기 콘택 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들은 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 및 상기 제1 웰의 경계들에 인접한 영역들에 각각 한 쌍의 공핍 영역들을 형성하는 전압이 인가되도록 구성되는 단일 광자 검출 픽셀
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12
제 9 항에 있어서,상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들을 각각 둘러싸는 한 쌍의 가드링들;을 더 포함하되,상기 한 쌍의 가드링들은 상기 제1 도전형을 갖는 단일 광자 검출 픽셀
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13
제 12 항에 있어서,상기 한 쌍의 가드링들 사이에 제공되는 제1 추가 분리 영역;을 더 포함하되,상기 제1 추가 분리 영역은 상기 한 쌍의 가드링들 아래에 배치되는 단일 광자 검출 픽셀
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14
제 12 항에 있어서,상기 한 쌍의 가드링들 사이에 제공되는 제2 추가 분리 영역;을 더 포함하되, 상기 제2 추가 분리 영역은 상기 한 쌍의 가드링들이 서로 마주하는 영역을 지나는 단일 광자 검출 픽셀
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15
제 12 항에 있어서,상기 한 쌍의 가드링들은 서로 연결되는 단일 광자 검출 픽셀
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제 15 항에 있어서,상기 한 쌍의 가드링들이 서로 연결되는 부분의 아래에 제공되는 제1 추가 분리 영역;을 더 포함하는 단일 광자 검출 픽셀
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제 9 항에 있어서,상기 제1 웰과 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 사이에 각각 제공되는 한 쌍의 제2 웰들;을 더 포함하되,상기 한 쌍의 제2 웰들은 상기 제1 도전형을 갖는 단일 광자 검출 픽셀
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18
제 17 항에 있어서,상기 한 쌍의 제2 웰들 사이에 제공되는 제1 추가 분리 영역;을 더 포함하되,상기 제1 추가 분리 영역은 상기 한 쌍의 제2 웰들 아래에 배치되는 단일 광자 검출 픽셀
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제 17 항에 있어서,상기 한 쌍의 제2 웰들 사이에 제공되는 제2 추가 분리 영역;을 더 포함하되, 상기 제2 추가 분리 영역은 서로 연결되는 한 쌍의 고리 형상들을 갖는 단일 광자 검출 픽셀
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20
복수의 단일 광자 검출 픽셀들; 및 상기 복수의 단일 광자 검출 픽셀들 사이에 제공되는 분리 영역;을 포함하되,상기 복수의 단일 광자 검출 픽셀들의 각각은, 기판, 상기 기판 상에 제공되는 제1 웰, 상기 제1 웰의 상부에 제공되는 한 쌍의 고농도 도핑 영역들, 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 사이에 제공되는 콘택을 포함하되, 상기 기판 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역은 제1 도전형을 갖고, 상기 제1 웰 및 상기 콘택은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 단일 광자 검출 픽셀 어레이
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기판; 상기 기판 상에 제공되는 한 쌍의 제1 웰들; 상기 한 쌍의 제1 웰들 상에 각각 제공되는 한 쌍의 고농도 도핑 영역들; 및 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 사이에 제공되는 콘택;을 포함하되, 상기 기판, 상기 한 쌍의 제1 웰들, 및 상기 콘택은 제1 도전형을 갖고, 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 단일 광자 검출 픽셀
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제 21 항에 있어서,상기 한 쌍의 제1 웰들과 상기 한 쌍의 고농도 도핑 영역들 사이에 각각 제공되는 한 쌍의 제2 웰들;을 더 포함하되,상기 한 쌍의 제2 웰들은 상기 제2 도전형을 가지는 단일 광자 검출 픽셀
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