| 1 |
1
디램(DRAM)으로 구성된 확장 메모리 풀에서 수행되는 리프레시 주기 조절 방법에 있어서,상기 확장 메모리 풀의 기설정된 단위 디램 셀 집합들 각각에 대한 정보를 수집하는 단계;상기 디램 셀 집합들 각각에 대하여 초기 리프레시 주기를 설정하는 단계; 및상기 디램 셀 집합들에서 수집된 정보에 기반하여 리프레시 주기를 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 초기 리프레시 주기는 단위 디램 셀 집합 내 디램 셀들 중 가장 짧은 정보 유지시간(retention time)을 갖는 디램 셀의 정보 유지시간에 기반하여 설정되는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 기설정된 단위 디램 셀 집합들 각각에 대한 정보는정보 유지시간이 짧은 디램 셀을 포함하는 취약행(weak row)의 주소 정보 및 정보 유지시간이 긴 디램 셀로 구성된 안정행(safe row)의 주소 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서,상기 취약행에 대한 메모리 접근을 상기 안정행에 리맵핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 리맵핑하는 단계는메모리 접근 주소와 상기 취약행의 주소의 비교 결과에 기반하여 수행되는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 기설정된 단위 디램 셀 집합들 각각에 대한 정보를 수집하는 단계는상기 단위 디램 셀 집합들의 온도 및 에러 발생 여부를 수집하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,상기 리프레시 주기를 조절하는 단계는특정 디램 셀에서 에러가 발생하면 에러가 발생한 디램 셀을 포함하는 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 리프레시 주기를 조절하는 단계는상기 조절된 리프레시 주기에 기반하여 기설정된 시간 내에 에러가 다시 발생하면 상기 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 다시 감소시키고,상기 기설정된 시간 내에 에러가 발생하지 않으면 상기 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 증가시키는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 9 |
9
청구항 7에 있어서,상기 리프레시 주기를 조절하는 단계는count 비트 값을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 10 |
10
청구항 6에 있어서,상기 리프레시 주기를 조절하는 단계는디램 내 특정 구역의 온도가 기설정된 온도를 초과하면 상기 기설정된 온도를 초과한 디램 구역을 포함하는 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 기설정된 임계 온도 주기와 비교하여 상기 리프레시 주기를 조절하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 방법
|
| 11 |
11
확장 메모리 풀의 기설정된 단위 디램(DRAM) 셀 집합들 각각에 대한 정보를 수집하는 저장부;상기 디램 셀 집합들 각각에 대하여 초기 리프레시 주기를 설정하고, 상기 디램 셀 집합들에서 수집된 정보에 기반하여 리프레시 주기를 조절하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 초기 리프레시 주기는 단위 디램 셀 집합 내 디램 셀들 중 가장 짧은 정보 유지시간(retention time)을 갖는 디램 셀의 정보 유지시간에 기반하여 설정되는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서,상기 기설정된 단위 디램 셀 집합들 각각에 대한 정보는정보 유지시간이 짧은 디램 셀을 포함하는 취약행(weak row)의 주소 정보 및 정보 유지시간이 긴 디램 셀로 구성된 안정행(safe row)의 주소 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 취약행에 대한 메모리 접근을 상기 안정행에 리맵핑하는 리맵핑부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 리맵핑부는메모리 접근 주소와 상기 취약행의 주소의 비교 결과에 기반하여 리맵핑을 수행하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 16 |
16
청구항 11에 있어서,상기 저장부는상기 단위 디램 셀 집합들의 온도 및 에러 발생 여부를 수집하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 17 |
17
청구항 16에 있어서,상기 제어부는특정 디램 셀에서 에러가 발생하면 에러가 발생한 디램 셀을 포함하는 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 18 |
18
청구항 17에 있어서,상기 제어부는상기 조절된 리프레시 주기에 기반하여 기설정된 시간 내에 에러가 다시 발생하면 상기 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 다시 감소시키고,상기 기설정된 시간 내에 에러가 발생하지 않으면 상기 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 증가시키는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 19 |
19
청구항 17에 있어서,상기 제어부는count 비트 값을 이용하여 상기 리프레시 주기를 조절하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
| 20 |
20
청구항 16에 있어서,상기 제어부는디램 내 특정 구역의 온도가 기설정된 온도를 초과하면 상기 기설정된 온도를 초과한 디램 구역을 포함하는 단위 디램 셀 집합의 리프레시 주기를 기설정된 임계 온도 주기와 비교하여 상기 리프레시 주기를 조절하는 것을 특징으로 하는 확장 메모리 풀의 리프레시 주기 조절 장치
|
