| 1 |
1
캐소드 구조체;상기 캐소드 구조체와 이격하는 애노드; 상기 캐소드 구조체 및 상기 애노드 사이의 스페이서 구조체; 및 상기 캐소드 구조체, 상기 애노드, 및 상기 스페이서 구조체와 각각 연결되는 외부 전원 장치를 포함하고,상기 스페이서 구조체는:상기 캐소드 구조체와 인접하게 배치되는 제1 스페이서; 및상기 제1 스페이서 상에 배치되고, 상기 애노드와 인접하게 배치되는 제2 스페이서를 포함하고,상기 제1 스페이서는 상기 캐소드 구조체와 인접한 제1 부분, 및 상기 제1 스페이서와 상기 제2 스페이서의 접점과 인접한 제2 부분을 포함하고,상기 제2 스페이서는 상기 접점과 인접한 제3 부분 및 상기 애노드와 인접한 제4 부분을 포함하되,상기 제1 부분 및 상기 제4 부분은 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분을 사이에 두고 서로 이격하고,상기 제1 부분의 비저항 및 상기 제3 부분의 비저항의 각각은 상기 제2 부분의 비저항보다 큰 엑스선 튜브
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제4 부분은 상기 제3 부분보다 체적 비저항이 큰 엑스선 튜브
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 외부 전원 장치는 상기 접점에 접지 전압을 인가하고,상기 캐소드 구조체에는 음의 전압이 인가되고,상기 애노드에는 양의 전압이 인가되는 엑스선 튜브
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 캐소드 구조체는:캐소드; 및상기 캐소드 상의 에미터를 포함하고,상기 제1 부분은 상기 캐소드와 접촉하는 엑스선 튜브
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 캐소드 구조체는:캐소드;상기 캐소드 상의 에미터; 및상기 캐소드 및 상기 애노드 사이에 배치되는 추가 전극을 포함하고,상기 추가 전극은 상기 에미터를 노출시키는 개구를 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 추가 전극과 접촉하는 엑스선 튜브
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 캐소드 구조체는:캐소드;상기 캐소드 상의 에미터; 및상기 캐소드 및 상기 애노드 사이에 수직으로 이격하게 배치되는 복수개의 추가 전극들을 포함하고,상기 추가 전극들의 각각은 상기 에미터를 노출시키는 개구를 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 추가 전극들 중 상기 애노드와 가장 인접하게 배치되는 추가 전극과 접촉하는 엑스선 튜브
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제2 부분 및 상기 제3 부분 사이에 개재되는 금속층을 더 포함하고,상기 금속층은 상기 접점에 배치되는 엑스선 튜브
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 세라믹 물질을 포함하고,상기 세라믹 물질은 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 및 이트리아(Y2O3) 중 적어도 하나를 포함하는 엑스선 튜브
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 동일한 세라믹 물질을 포함하고,상기 세라믹 물질 내에 도핑된 불순물을 더 포함하고,상기 제1 부분의 불순물의 농도 및 상기 제3 부분의 불순물의 농도는 상기 제2 부분의 불순물의 농도보다 큰 엑스선 튜브
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제3 부분의 불순물의 농도는 상기 제4 부분의 불순물의 농도보다 큰 엑스선 튜브
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 제1 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 서로 다른 세라믹 물질을 포함하는 엑스선 튜브
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제1 부분 및 상기 제3 부분은 1x1012Ω·cm 이하의 비저항을 가지고,상기 제2 부분 및 상기 제4 부분은 1x1012Ω·cm 초과의 비저항을 가지는 엑스선 튜브
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 제1 부분의 외주면 및 상기 제3 부분의 외주면 중 적어도 어느 하나의 위치에 배치되는 적어도 하나의 금속막을 더 포함하는 엑스선 튜브
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치되는 도전 구조체를 더 포함하되,상기 도전 구조체는 만곡된 형상을 가지는 엑스선 튜브
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 도전 구조체를 관통하는 윈도우(window)를 더 포함하는 엑스선 튜브
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 도전 구조체는 접지 전원과 연결되는 엑스선 튜브
|
