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복수의 메모리 다이 구조의 메모리 칩 패키지에서 데이터 전송 구동 회로의 출력 임피던스 보정 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2023001897
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수의 메모리 다이가 적층된 메모리 칩 패키지에서 각 메모리 다이의 데이터 전송 구동 회로에 대한 출력 임피던스 보정 방법이 제공된다. 출력 임피던스 보정 방법은 상기 데이터 전송 구동 회로의 전원전압을 공급하는 전원단과 접지단 사이에 연결된 기준 저항과 다이오드 연결된 제1 트랜지스터를 통해 기준 전류를 생성하는 단계, 상기 기준 전류에 대응하는 복수의 제1 전류를 각 메모리 다이의 풀업 드라이버에 공급하는 단계, 상기 복수의 메모리 다이 각각에서 상기 복수의 제1 전류에 의해 형성되는 제1 전압과 상기 기준 전류에 의해 형성되는 기준 전압을 비교하여 해당 메모리 다이의 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 단계, 그리고 상기 복수의 메모리 다이 각각에서 보정된 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 기준으로 해당 메모리 다이의 풀다운 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 11/4093 (2021.01.01) G11C 11/4076 (2006.01.01) G11C 7/10 (2021.01.01)
CPC G11C 11/4093(2013.01) G11C 11/4076(2013.01) G11C 7/1051(2013.01) G11C 2207/2254(2013.01)
출원번호/일자 1020220094950 (2022.07.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0067493 (2023.05.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210152952   |   2021.11.09
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.12.06)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조민형 대전광역시 유성구
2 전영득 대전광역시 유성구
3 한진호 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2022-0799238-28
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2022.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2022-1193809-76
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2022.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2022-1312078-11
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번호 청구항
1 1
복수의 메모리 다이가 적층된 메모리 칩 패키지에서 각 메모리 다이의 데이터 전송 구동 회로에 대한 출력 임피던스 보정 방법에서, 상기 데이터 전송 구동 회로의 전원전압을 공급하는 전원단과 접지단 사이에 연결된 기준 저항과 다이오드 연결된 제1 트랜지스터를 통해 기준 전류를 생성하는 단계, 상기 기준 전류에 대응하는 복수의 제1 전류를 각 메모리 다이의 풀업 드라이버에 공급하는 단계, 상기 복수의 메모리 다이 각각에서 상기 복수의 제1 전류에 의해 형성되는 제1 전압과 상기 기준 전류에 의해 형성되는 기준 전압을 비교하여 해당 메모리 다이의 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 단계, 그리고 상기 복수의 메모리 다이 각각에서 보정된 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 기준으로 상기 해당 메모리 다이의 풀다운 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 단계를 포함하는 출력 임피던스 보정 방법
2 2
제1항에서, 상기 공급하는 단계는 상기 제1 트랜지스터와 전류 미러를 형성하는 복수의 제2 트랜지스터를 통해 상기 복수의 제1 전류를 각각 생성하는 단계를 포함하는 출력 임피던스 보정 방법
3 3
제2항에서, 상기 복수의 제2 트랜지스터 각각은 각 메모리 다이의 풀업 드라이버와 접지단 사이에 연결되며, 상기 제1 전압은 각 메모리 다이의 풀업 드라이버와 각 제2 트랜지스터 사이의 노드의 전압인 출력 임피던스 보정 방법
4 4
제1항에서, 상기 공급하는 단계는 상기 제1 트랜지스터와 전류 미러를 형성하는 제2 트랜지스터를 통해 상기 기준 전류에 대응하는 제2 전류를 생성하는 단계, 상기 전원단과 상기 제2 트랜지스터 사이에 연결되는 제3 트랜지스터와 전류 미러를 형성하는 복수의 제4 트랜지스터를 통해 복수의 제3 전류를 생성하는 단계, 그리고 상기 복수의 제4 트랜지스터와 접지단 사이에 각각 연결되는 복수의 제5 트랜지스터 각각과 전류 미러를 형성하는 복수의 제6 트랜지스터를 통해 상기 복수의 제1 전류를 생성하는 단계를 포함하는 출력 임피던스 보정 방법
5 5
제4항에서,상기 복수의 제6 트랜지스터 각각은 각 메모리의 다이의 풀업 드라이버와 접지단 사이에 연결되며, 상기 제1 전압은 각 메모리 다이의 풀업 드라이버와 각 제6 트랜지스터 사이의 노드의 전압인 출력 임피던스 보정 방법
6 6
제1항에서,상기 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 단계는 상기 복수의 메모리 다이 각각에서 동시에 해당 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 단계를 포함하는 출력 임피던스 보정 방법
7 7
복수의 메모리 다이가 적층된 메모리 칩 패키지에서 각 메모리 다이의 데이터 전송 구동 회로에 대한 출력 임피던스 보정 장치에서, 상기 데이터 전송 구동 회로의 전원전압을 공급하는 전원단과 접지단 사이에 연결된 기준 저항과 다이오드 연결된 제1 트랜지스터를 통해 생성되는 기준 전류에 대응하는 제1 전류에 의해 풀업 드라이버에 공급되는 제1 전압과 상기 기준 전류에 의해 형성되는 기준 전압을 비교하여 상기 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 풀업 보정부, 그리고 상기 각 메모리 다이에서 보정된 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 기준으로 풀다운 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 풀다운 보정부를 포함하는 출력 임피던스 보정 장치
8 8
제7항에서, 상기 풀업 보정부는 상기 제1 트랜지스터와 전류 미러를 형성하여 상기 제1 전류를 상기 풀업 드라이버에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하는 출력 임피던스 보정 장치
9 9
제7항에서,상기 기준 신호 생성부는 상기 제1 트랜지스터와 전류 미러를 형성하여 상기 기준 전류에 대응하는 제2 전류를 생성하는 제2 트랜지스터, 상기 전원단과 상기 제2 트랜지스터 사이에 연결되는 제3 트랜지스터, 그리고 상기 제3 트랜지스터와 전류 미러를 형성하여 복수의 제3 전류를 생성하는 복수의 제4 트랜지스터를 더 포함하는 출력 임피던스 보정 장치
10 10
제9항에서,상기 풀업 보정부는 상기 복수의 제4 트랜지스터 중 하나와 접지단 사이에 연결되는 제5 트랜지스터, 그리고 상기 제5 트랜지스터와 전류 미러를 형성하여 상기 제1 전류를 상기 풀업 드라이버에 공급하는 제6 트랜지스터를 포함하는 출력 임피던스 보정 장치
11 11
제7항에서, 상기 풀업 보정부는 상기 제1 전압과 상기 기준 전압을 비교하는 풀업 비교부, 그리고 상기 제1 전압과 상기 기준 전압의 비교 결과를 토대로 상기 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 보정하는 풀업 보정 제어부를 포함하는 출력 임피던스 보정 장치
12 12
제7항에서, 상기 각 메모리 다이의 풀업 보정부는 상기 풀업 드라이버의 출력 임피던스를 동시에 보정하는 출력 임피던스 보정 장치
13 13
제7항에서, 상기 기준 저항과 다이오드 연결된 제1 트랜지스터를 통해 흐르는 기준 전류에 의해 상기 기준 전압을 생성하는 기준 신호 생성부를 더 포함하고, 상기 기준 신호 생성부는 상기 복수의 메모리 다이 중 하나의 메모리 다이에 형성되는 출력 임피던스 보정 장치
14 14
제13항에서, 상기 각 메모리 다이의 풀업 보정부는 상기 기준 전압을 공유하는 출력 임피던스 보정 장치
15 15
제7항에서, 상기 각 메모리 다이의 풀다운 보정부는 상기 풀다운 드라이버의 출력 임피던스를 동시에 보정하는 출력 임피던스 보정 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 혁신성장연계지능형반도체선도기술개발(R&D) LPDDR5 기반 인공지능 반도체용 고대역폭 메모리 인터페이스 기술 개발