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1
LO(Local Oscillator) 신호에 기초하여, 정합된 LO 신호를 생성하도록 구성된 제1 정합 회로;상기 정합된 LO 신호에 기초하여, 비-선형 LO 신호를 생성하도록 구성된 비-선형 회로;RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여, 정합된 RF 신호를 생성하도록 구성된 제2 정합 회로;상기 비-선형 LO 신호 및 상기 정합된 RF 신호의 혼합에 기초하여, 혼합 신호를 생성하도록 구성된 혼합 회로; 및상기 혼합 신호에 기초하여, IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성하도록 구성된 제3 정합 회로를 포함하되,상기 비-선형 회로는 직렬로 연결된 비-선형 트랜지스터, 바이어스 트랜지스터, 및 내부 정합 회로를 포함하는 주파수 혼합기
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제 1 항에 있어서,상기 내부 정합 회로는 병렬로 연결된 저항, 인덕터, 및 커패시터를 포함하는 주파수 혼합기
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3
제 2 항에 있어서,상기 저항의 크기, 상기 인덕터의 용량, 및 상기 커패시터의 용량은 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기
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4
제 1 항에 있어서,상기 바이어스 트랜지스터는 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고상기 바이어스 전압의 크기는 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기
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제 1 항에 있어서,상기 바이어스 트랜지스터는 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고상기 바이어스 전압의 상기 크기는, 상기 주파수 혼합기의 제작 공정에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기
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6
제 1 항에 있어서,상기 비-선형 트랜지스터는 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 정합된 LO 신호에 응답하여 동작하도록 구성되고,상기 바이어스 트랜지스터는 상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성되고, 그리고상기 내부 정합 회로는 상기 제2 노드 및 접지 노드 사이에 연결되는 주파수 혼합기
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7
제 6 항에 있어서,상기 비-선형 회로는 상기 바이어스 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압원을 더 포함하는 주파수 혼합기
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8
제 6 항에 있어서,상기 내부 정합 회로는:상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 저항;상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 인덕터; 및상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 커패시터를 포함하는 주파수 혼합기
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9
제 6 항에 있어서,상기 비-선형 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 상기 단자와 연결되고, 상기 비-선형 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 그리고상기 바이어스 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 상기 바이어스 트랜지스터의 소스 단자는 상기 제2 노드와 연결되는 주파수 혼합기
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10
제 1 항에 있어서,상기 비-선형 트랜지스터 및 상기 바이어스 트랜지스터는 각각 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터, GaAs PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor), GaAs MHEMT(Metamorphic High Electron Mobility Transistor) InP HEMT(High Electron Mobility Transistor), 및 GaN FET(Field Effect Transistor) 중 적어도 하나로 구현되는 주파수 혼합기
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11
제 1 항에 있어서,상기 주파수 혼합기는 상기 RF 신호의 제1 주파수에서 상기 LO 신호의 제2 주파수를 감산한 제3 주파수를 갖는 상기 IF 신호를 생성하는 하향 주파수 혼합기인 주파수 혼합기
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12
LO(Local Oscillator) 신호를 정합하고, 정합된 LO 신호에 기초하여 비-선형 LO 신호를 생성하고, 그리고 상기 비-선형 LO 신호 및 RF(Radio Frequency) 신호에 기초하여 IF(Intermediate Frequency) 신호를 생성하는 주파수 혼합기에 있어서:상기 비-선형 LO 신호가 생성되는 단자 및 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 정합된 LO 신호에 응답하여 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터;상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작하도록 구성된 제2 트랜지스터; 및상기 제2 노드 및 접지 노드 사이에 연결된 내부 정합 회로를 포함하는 주파수 혼합기
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13
제 12 항에 있어서,상기 내부 정합 회로는:상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 저항;상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 인덕터; 및상기 제2 노드 및 상기 접지 노드 사이에 연결된 커패시터를 포함하는 주파수 혼합기
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14
제 13 항에 있어서,상기 저항의 크기, 상기 인덕터의 용량, 및 상기 커패시터의 용량은 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기
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15
제 12 항에 있어서,상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자에 상기 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압원을 더 포함하는 주파수 혼합기
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16
제 15 항에 있어서,상기 바이어스 전압의 크기는, 상기 주파수 혼합기의 제작 공장에서 발생하는 능동 소자의 공정 변화 및 수동 소자의 공정 변화에 대해, 상기 주파수 혼합기의 LO-대-RF 격리도, RF-대-LO 격리도, 및 LO-대-IF 격리도 중 적어도 하나를 향상시키도록 최적화되는 주파수 혼합기
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