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상적 안정성을 갖는 할라이드 페로브스카이트 물질로, 상기 할라이드 페로브스카이트 물질은 ABX3, A2BX4, A3BX5, A4BX6, ABX4 또는 An-1PbnX3n+1(n은 2 내지 6 사이의 정수)의 구조를 가지며, A는 티오시인산염으로 이루어진 제 1 물질과, 유기 암모늄 이온, 유기 아미디늄(amidinium) 이온, 유기 포스포늄 이온, 알칼리 금속 이온 또는 이들의 유도체를 포함하는 제 2 물질을 포함하며,상기 B는 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 유기물, 무기물, 암모늄, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함하며,상기 X는 할로겐 이온 또는 서로 다른 할로겐 이온의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는, 상적 안정성을 갖는 할라이드 페로브스카이트 물질
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제 1항에 있어서, 상기 티오시인산염은 상기 제 2 물질보다 높은 전자친화도를 갖는 것을 특징으로 하는, 상적 안정성을 갖는 할라이드 페로브스카이트 물질
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제 1항에 있어서, 상기 티오인삼염은 티오시인산(SCN)과 1가 또는 2가의 양이온의 염인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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제 3항에 있어서, 상기 티오시인산염은 NH4SCN / KSCN / NaSCN / Pb(SCN)2 / AgSCN / GASCN 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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제 1항에 있어서, 상기 티오시인산염은 FACsPbI3XSCN3(1-X)의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자(여기에서 X는 0 초과 1 미만의 자연수인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
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제 6항에 있어서, 상기 저항 변화 메모리 소자의 저항 변화층은 상기 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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저항 스위칭 메모리 소자 제조방법으로, 기판 상에 하부전극을 적층하는 단계; 상기 하부전극 상에 할라이드 페로브스카이트층을 포함하는 저항변화층을 적층하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 상부전극을 적층하는 단계를 포함하는, 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법으로, 상기 할라이드 페로브스카이트층은 ABX3, A2BX4, A3BX5, A4BX6, ABX4 또는 An-1PbnX3n+1(n은 2 내지 6 사이의 정수)의 구조를 가지며, A는 티오시인산염으로 이루어진 제 1 물질과, 유기 암모늄 이온, 유기 아미디늄(amidinium) 이온, 유기 포스포늄 이온, 알칼리 금속 이온 또는 이들의 유도체를 포함하는 제 2 물질을 포함하며,상기 B는 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 유기물, 무기물, 암모늄, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함하며,상기 X는 할로겐 이온 또는 서로 다른 할로겐 이온의 조합을 포함하는 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 티오시인산염은 상기 제 2 물질보다 높은 전자친화도를 갖는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 저항변화층을 적층하는 단계는, 용액상태의 할라이드 페로브스카이트 성분 물질을 스핀코팅하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법
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