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제1 인캡슐레이션층;상기 제1 인캡슐레이션층 위에 배치되는 캐소드 집전체층;상기 캐소드 집전체층 위에 배치되는 캐소드층;상기 캐소드 층 위에 배치되는 고체 전해질층;상기 고체 전해질층 위에 배치되는 애노드층;상기 애노드층 위에 배치되는 애노드 집전체층; 및상기 애노드 집전체층 위에 배치되는 제2 인캡슐레이션층을 포함하는 전고체 배터리
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제 1 항에 있어서,상기 제1 인캡슐레이션층 및 상기 제2 인캡슐레이션층은 각각 고분자층, 금속층, 및 고분자층의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리
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제 2 항에 있어서,상기 고분자층은 파릴렌을 포함하고, 상기 금속층은 Ti를 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리
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제 1 항에 있어서,상기 캐소드층과 상기 고체 전해질층 사이에 배치되는 계면 안정층을 더 포함하는 전고체 배터리
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제 4 항에 있어서,상기 계면 안정층은 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리
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희생층을 포함하는 희생 기판을 준비하는 단계;상기 희생층 위에 캐소드 집전체층을 형성하는 단계;상기 캐소드 집전체층 위에 캐소드층을 형성하는 단계;상기 희생층을 제거하고 상기 캐소드 집전체층과 상기 캐소드층을 핸들링 기판으로 전사하는 단계;상기 캐소드층 위에 고체 전해질층을 형성하는 단계;상기 고체 전해질층 위에 애노드층을 형성하는 단계; 및상기 애노드층 위에 애노드 집전체층을 형성하는 단계를 포함하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 핸들링 기판 위에 제1 고분자층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 캐소드 집전층과 상기 캐소드층은 상기 제1 고분자층 위로 전사되는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 7 항에 있어서,상기 애노드 집전체층 위에 제2 고분자층을 형성하는 단계;상기 핸들링 기판에서 상기 제1 고분자층을 분리하는 단계; 및상기 제1 고분자층 아래에 제1 금속층과 제3 고분자층을 형성하고, 상기 제2 고분자층 위에 제2 금속층과 제4 고분자층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 고분자층, 상기 제2 고분자층, 상기 제3 고분자층, 및 상기 제4 고분자층은 파릴렌으로 형성되고,상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 Ti로 형성되는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 희생층을 제거하기 전에 상기 캐소드층을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 캐소드 집전체층, 상기 캐소드층, 상기 고체 전해질층, 상기 애노드층, 및 상기 애노드 집전체층은 각각 섀도 마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 캐소드 집전체층은 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정에 의해 패터닝되는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 고체 전해질층을 형성하기 전에 상기 캐소드층 위에 계면 안정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전고체 배터리의 형성 방법
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제 13 항에 있어서,상기 계면 안정층은 Al2O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리의 형성 방법
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