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전도성 기재; 및상기 전도성 기재의 일면 상에 배치되는 고체전해질층:을 포함하며,상기 고체전해질층이 무기 고체전해질을 포함하며,5 ㎛ 이하의 두께를 가지는 유연성 자립막(flexible free-standing film)인, 적층 구조체 박막(stacked structure thin film)
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제1 항에 있어서, 상기 적층 구조체 박막의 곡률 반경(radius of curvature)이 10 mm 이하인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 고체전해질층의 두께가 상기 전도성 기재의 두께의 70 % 이하이며, 상기 고체전해질층의 두께가 1 ㎛ 이하인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 고체전해질층 표면의 제곱평균제곱근 거칠기(Root Mean Square Roughness, RRMS)가 5 nm 이하인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 고체전해질층의 면적이 상기 전도성 기재 면적의 50 % 이상이며,상기 고체전해질층이 박리층(exfoliated layer)인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 고체전해질의 이온전도도가 1×10-8 S/cm 이상인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 무기 고체전해질이 산화물계 고체전해질인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 산화물계 고체전해질이 LiPON(Lithium phosphorus oxynitride), Li3xLa(2/3-x)VA(1/3-2x)TiO3 (0
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 기재의 두께가 4 ㎛ 이하인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 무기 고체전해질이 LiPON을 포함하며, 상기 전도성 기재의 잔류 응력(residual stress)이 200 MPa 이상이거나,상기 무기 고체전해질이 LLTO를 포함하며, 상기 전도성 기재의 잔류 응력이 50 MPa 이하인, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 기재가 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함하는, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 기재와 상기 고체전해질층 사이에 배치되는 중간층(interlayer)을 더 포함하며, 상기 중간층의 두께가 100 nm 이하이며,상기 중간층이 티탄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 나이오븀(Nb), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함하는, 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 기재의 타면 상에 배치되는 이형층(release layer)을 더 포함하는 적층 구조체 박막
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제1 항에 있어서, 상기 전도성 기재와 상기 고체전해질층 사이에 배치되는 전극활물질층을 더 포함하며,상기 전극활물질층이 양극활물질 또는 음극활물질을 포함하는, 적층 구조체 박막
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제1 전극-전해질 조립체; 및제2 전극을 포함하며,상기 제1 전극-전해질 조립체가 제1 항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 적층 구조체 박막을 포함하며,상기 제1 전극이 제1 전극활물질층을 포함하며, 상기 제2 전극이 제2 전극활물질층을 포함하는, 전기화학 전지
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기저층을 포함하는 제1 구조체를 제공하는 단계;상기 기저층의 일면 상에 고체전해질층 및 전도성 기재를 순차적으로 배치하여 제2 구조체를 형성하는 단계;상기 기저층으로부터 상기 고체전해질층을 박리(exfoliate)하여 적층 구조체 박막을 제조하는 단계를 포함하며,상기 고체전해질층이 무기 고체전해질을 포함하며,상기 적층 구조체 박막이 5 ㎛ 이하의 두께를 가지는 유연성 자립막(flexible free-standing film)인, 적층 구조체 박막(stacked structure thin film)의 제조 방법
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제16 항에 있어서, 상기 기저층을 포함하는 제1 구조체를 제공하는 단계가, 기재(substrate)를 제공하는 단계; 상기 기재 상에 제1 중간층(interlayer)을 배치하는 단계; 및 상기 제1 중간층 상에 기저층(base layer)을 배치하는 단계를 포함하며,상기 기재가 금속, 금속산화물, 또는 유리를 포함하며, 상기 기저층이 금속 또는 금속산화물을 포함하며,상기 기재 및 기저층 중 하나 이상이 금속을 포함하며, 상기 금속이 Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, 또는 이들의 합금을 포함하며,상기 기재 및 기저층 중 하나 이상이 금속산화물을 포함하며, 상기 금속산화물이 SrTiO3, Sr3Al2O6, 또는 이들의 조합을 포함하는, 적층 구조체 박막의 제조 방법
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제16 항에 있어서, 상기 제2 구조체를 형성하는 단계에서, 상기 고체전해질층이 LiPON을 포함하며 상기 전도성 기재의 잔류 응력이 200 MPa 이상이거나,상기 고체전해질층이 LLTO를 포함하며, 상기 전도성 기재의 잔류 응력이 50 MPa 이하인, 적층 구조체 박막의 제조 방법
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제16 항에서 있어서, 상기 제2 구조체를 형성하는 단계에서, 상기 전도성 기재 상에 이형층(release layer)을 추가적으로 배치하며,상기 적층 구조체 박막이 포함하는 고체전해질층의 면적이, 상기 기저층 상에 배치된 고체전해질층 면적의 50 % 이상인, 적층 구조체 박막의 제조 방법
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제16 항에 있어서, 상기 제2 구조체를 형성하는 단계에서, 상기 고체전해질층 상에 상기 전도성 기재를 배치하기 전에, 상기 고체전해질층 상에 전극활물질층을 추가적으로 배치하는, 적층 구조체 박막의 제조 방법
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