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분말혼합방식을 이용한 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름 조성물 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2023002336
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저유전특성 및 향상된 방열특성을 갖는 우수한 성능의 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름을 얻을 수 있는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름 조성물 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물은 액정 고분자; 및 액정 고분자를 래핑하는 질화붕소계 무기필러;를 포함한다.
Int. CL C08K 3/38 (2006.01.01) C08K 3/013 (2018.01.01) C08K 9/06 (2006.01.01) C08L 101/12 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) H05K 1/03 (2006.01.01)
CPC C08K 3/38(2013.01) C08K 3/013(2013.01) C08K 9/06(2013.01) C08L 101/12(2013.01) C08J 5/18(2013.01) H05K 1/0373(2013.01) C08K 2003/385(2013.01)
출원번호/일자 1020210171045 (2021.12.02)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0083006 (2023.06.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철승 경기도 성남시 분당구
2 유명재 서울특별시 광진구
3 양현승 인천광역시 연수구
4 전영무 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-1400042-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2023-5062703-94
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2023-5067768-12
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번호 청구항
1 1
액정 고분자; 및액정 고분자를 래핑(wrapping)하는 질화붕소계 무기필러;를 포함하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름 조성물
2 2
청구항 1에 있어서, 질화붕소계 무기필러는 육방정 질화붕소(hexagonal boron nitride, h-BN) 및 응집 질화붕소(agglomerated boron nitride, a-BN) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름 조성물
3 3
청구항 1에 있어서, 질화붕소나노튜브(Boron Nitride Nanotubes, BNNT)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름 조성물
4 4
청구항 1에 있어서,세라믹 입자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물
5 5
청구항 1에 있어서, 질화붕소계 무기필러는 표면이 실란커플링제로 개질된 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물
6 6
청구항 1에 있어서, 액정 고분자의 입자크기 및 질화붕소계 무기필러의 입자크기의 비율은 1:1 내지 20:1인 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물
7 7
청구항 1에 있어서, 질화붕소계 무기필러는 액정 고분자의 전체 중량을 기준으로 하여 1 내지 20wt%로 포함되는 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물
8 8
액정 고분자를 준비하는 제1단계; 및액정 고분자 및 고상의 질화붕소계 무기필러를 고에너지 혼합방법에 의해 혼합하는 제2단계;를 포함하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,제2단계는,액정 고분자는 질화붕소계 무기필러로 래핑되도록 혼합하는 단계인 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서,제2단계 전에, 질화붕소계 무기필러의 표면을 실란커플링제로 개질하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물 제조방법
11 11
청구항 1에 따른 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 조성물을 포함하는 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름
12 12
청구항 11에 따른 연성인쇄회로기판용 저유전 고방열 필름을 포함하는 연성인쇄회로기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 미래소재디스커버리지원(R＆D) 5G FCCL용 저유전체 필름 개발