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광 신호를 수신하는 광 신호 수신부;상기 광 신호 수신부가 전달하는 전류 신호를 전압 신호로 변환하는 전류-전압 변환부;상기 전류-전압 변환부가 제공하는 전압 신호에 대응하는 PWM(Power Width-modulation) 신호를 생성하는 PWM 신호 생성부;상기 PWM 신호 생성부가 제공하는 PWM 신호에 대응하는 디지털 신호를 출력하는 디지털 제어 신호 생성부;를 포함하고,상기 광 신호 수신부, 상기 전류-전압 변환부, 상기 PWM 신호 생성부, 상기 디지털 제어 신호 생성부 중 적어도 일부는 온칩 방식으로 구현되는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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제1항에 있어서,상기 전류-전압 변환부는상기 광 신호 수신부가 제공한 전류 신호에 대응하는 전압 신호가 입력되는 증폭기;상기 증폭기의 출력 전압 신호와 외부 참조 전압을 비교하여 출력하는 비교기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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제2항에 있어서,상기 증폭기의 출력단은 상기 증폭기의 입력단 사이에 연결되는 배선 및 상기 배선에 배치된 스위치;상기 증폭기의 출력단은 상기 증폭기의 입력단 사이에 연결되며 상기 스위치와 병렬된 연결되는 필터 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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제1항에 있어서,상기 PWM 신호 생성부는상기 광 신호 수신부의 출력 신호를 입력으로 받는 검출 인버터;2개의 NAND 게이트로 구성되며 상기 검출 인버터의 출력 및 클럭 신호를 입력으로 수신하는 플립플롭;상기 플립플롭의 출력 및 상기 클럭 신호를 입력받는 NAND 게이트;상기 NAND 게이트의 출력을 받아 PWM 신호로 출력하는 인버터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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제4항에 있어서,상기 PWM 신호 생성부는상기 NAND 게이트의 출력에 의해 상태가 변경되며 상기 검출 인버터의 입력단에 연결되는 스위치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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제1항에 있어서,상기 디지털 제어 신호 생성부는N비트 이진 카운터 및 N+1비트 이진 카운터를 포함하는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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제6항에 있어서,상기 디지털 제어 신호 생성부는클럭 신호가 입력되는 상기 N비트 이진 카운터;상기 PWM 신호의 듀티 싸이클을 조절하는 듀티 싸이클 조절부;상기 N비트 이진 카운터의 출력과 상기 듀티 싸이클 조절부의 출력을 받는 상승 에지 검출부;상기 상승 에지 검출부의 출력 및 상기 듀티 싸이클 조절부의 출력을 입력을 수신하는 상기 N+1비트 이진 카운터;상기 상승 에지 검출부의 출력 및 상기 듀티 싸이클 조절부의 출력을 입력받는 D플립플롭;상기 N+1비트 이진 카우터의 출력 및 상기 D플립플롭의 출력을 비교하는 비교기;상기 비교기의 출력을 저장하는 버퍼;를 포함하는 것을 특징으로 하는 온칩 광 신호 모니터링 회로
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