| 1 |
1
다수의 기공이 형성된 폴리머 기반의 베이스 필름을 실란계 전구체 용액에 침지하는 단계;상기 실란계 전구체 용액에 대한 가수분해 후 축합반응으로 형성한 폴리실록산을 상기 베이스 필름의 표면부터 내부까지 코팅하여 폴리실록산 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 폴리실록산 코팅층이 형성된 베이스 필름을 상기 실란계 전구체 용액으로부터 분리한 후, 세척 및 건조하여 폴리실록산 복합 분리막을 획득하는 단계;를 포함하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 실란계 전구체는 실리콘(Si)에 적어도 하나의 알킬기를 갖는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 실란계 전구체는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate), MTMS(Trimethoxy- methylsilane), DMDMS(Dimethoxydimethylsilane) 및 VTMS(Vinyltrimethoxysilane) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 폴리실록산 코팅층을 형성하는 단계에서,상기 실란계 전구체는 ??Si-OR가 상기 가수분해를 통해 ??Si-OH로 변경되고,상기 ??Si-OH는 상기 축합반응을 통해 ??Si-O-Si-로 변경되어 상기 베이스 필름에 코팅되어 상기 폴리실록산 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 가수분해 및 상기 축합반응는 상온~150℃에서 진행하고,상기 축합반응은 산성촉매를 첨가하여 진행하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 산성촉매는 염산, 아세트산 및 질산 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 베이스 필름은 다공성 고분자막 및 부직포 중에 하나인 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 베이스 필름이 부직포인 경우,상기 부직포를 형성하는 섬유의 표면에 폴리실록산 코팅층이 쉘 형태로 코팅되는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 침지하는 단계 이전에 수행되는,상기 베이스 필름을 염기 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막의 제조 방법
|
| 10 |
10
다수의 기공이 형성된 폴리머를 기반으로 하는 베이스 필름; 및상기 베이스 필름의 표면부터 내부까지 침투하여 코팅된 폴리실록산 코팅층;을 포함하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 폴리실록산 코팅층의 두께는 10nm~1000nm이고,상기 폴리실록산 복합 분리막은 상기 베이스 필름의 두께 대비 두께 증가율이 ??50%~50% 인 것을 특징으로 하는 이차전지용 폴리실록산 복합 분리막
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 폴리실록산 복합 분리막은 LSV 시험에서 전류밀도 0
|
| 13 |
13
양극, 음극, 폴리실록산 복합 분리막 및 전해액을 포함하고,상기 폴리실록산 복합 분리막은,다수의 기공이 형성된 베이스 필름; 및상기 베이스 필름의 표면부터 내부까지 침투하여 코팅된 폴리실록산 코팅층;을 포함하는 이차전지
|
